ＵＬＳＩ多層（Cu／Low-k）配線技術の基礎と最新動向
セミナータイトル
ULSI多層配線技術の基礎と32/28nm世代以降の最新技術動向を先行デバイスメーカーの講師が詳解する！
ＵＬＳＩ多層（Cu／Low-k）配線技術の基礎と最新動向
～微細化、低抵抗化、低容量化、高信頼化～
セミナー概要
セミナー番号 | 100920 |
会 場 | 商工情報センター カメリアプラザ 9Ｆ 第2研修室 【東京・江東区】 |
日 時 | 平成22年9月17日（金） 10：00～16：30 ↓ ↓ ↓ 日程が変更になりました。 平成22年10月28日（木） 10：00～16：30 |
| 定 員 | 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。 |
聴講料 | 無料案内の登録をされない方 1名につき49,980円（税込、昼食・資料付き） 無料案内の登録をされる方（申込フォーム記入時に登録できます）
大学生、教員の方 1名に付き受講料10,500円（税込、昼食資料付）です。 ※ただし、企業に在籍されている研究員の方は除きます。また、2人目無料も適用外です。
※2名以上複数名で同時申込の場合は1名につき10,500円引きになります。 |
講座の内容
【受講対象者】
企業・大学・官公庁の若手技術者・研究者など
【習得できる知識】
半導体プロセス工学、半導体集積化技術、多層配線形成技術、低誘電率絶縁膜技術、薄膜材料物性学、金属疲労学、固体物理学、材料強度学
【講座の趣旨】
微細・薄膜のCu配線と低誘電率(Low-k)層間絶縁膜からなるCu/Low-k多層配線技術は、シリコンULSIにおける論理回路やメモリセルを構成するCMOSトランジスタ同士の接続に広く用いられてきましたが、世代とともに、さらなる微細化や薄膜化、低抵抗化や低容量化、高信頼化への要求が益々強くなっています。しかしながら、配線寸法やコンタクト/ビアホール径の微細化・薄膜化に伴って配線/ホールの電気抵抗や寄生容量は著しく増大し、導通歩留まりや信頼性を確保するのが益々難しくなっているのが現状です。
本セミナーでは、ULSI多層配線技術の基礎と最新動向について詳しく解説します。特に、32/28nm世代以降の微細配線溝やビアホールへの薄膜バリアメタル及びCu埋め込み技術の最新動向をはじめ、高信頼化のためのメタル/絶縁膜キャップ技術の課題と今後の開発の方向性について述べます。次に、比誘電率２．５以下の多孔質（Porous）低誘電率(Low-k)材料を層間絶縁膜として実用化していく上で鍵を握る機械強度やプラズマダメージ耐性の改善施策、微細化の技術障壁を打破するためのブレークスルー技術として期待されている、究極のLow-kである空中配線（Air-Gap）技術やナノカーボン材料を用いた低抵抗・高信頼性ホール埋め込み/配線技術の最新動向と実用化に向けての課題について言及します。
【プログラム】
１．多層配線技術の歴史的変遷
1-1.半導体産業60年の歴史と微細化の狙い、将来のアプリケーション
1-2.多層配線の役割と構造・材料・プロセスの進化の足跡
1-3.金属・絶縁膜成膜技術の種類と変遷
1-4.接続孔(コンタクト、ビアホール)形成技術の変遷
1-5.層間絶縁膜形成及び平坦化技術の変遷
1-2.多層配線の役割と構造・材料・プロセスの進化の足跡
1-3.金属・絶縁膜成膜技術の種類と変遷
1-4.接続孔(コンタクト、ビアホール)形成技術の変遷
1-5.層間絶縁膜形成及び平坦化技術の変遷
２．多層配線の最適スケーリングとITRS2009最新配線技術ロードマップ
2-1.多層配線の役割と階層別の配線要求
2-2.高性能デバイスの多層配線レイアウトの実例
2-3.配線パラメータのスケーリング理論
2-4.ITRS2009最新配線技術ロードマップ策定の経緯と詳細
2-2.高性能デバイスの多層配線レイアウトの実例
2-3.配線パラメータのスケーリング理論
2-4.ITRS2009最新配線技術ロードマップ策定の経緯と詳細
３．微細Cuダマシン配線プロセス技術の基礎と最新動向
3-1.Cuダマシン配線の形成プロセスの概要
3-2.CuとAlの材料物性比較バリアメタル(BM)の要件、材料候補
3-3.BM/シードCuの成膜技術の変遷と課題
3-4.PVD-BMの特性比較とCVD(ALD)技術の課題
3-5.Cu電解めっきプロセスの概要とめっき添加剤の影響
3-6.新規CVDライナー(Ru, Co）のメリットと課題
3-7.CuX合金シードを利用した超薄膜バリア自己形成技術の概要と課題
3-8.Cu配線の微細化・薄膜化に伴う抵抗上昇現象と機構
3-9.モンテカルロシミュレーションによる微細金属配線中の電子散乱効果の解析と高精度抵抗予測
3-10.ストレスマイグレーション(SM)信頼性の基礎と改善の実例
3-11.エレクトロマイグレーション(EM)信頼性の基礎
3-12.各種キャップ(CoW, CuSiNなど）、Ti-BMとの併用によるEM改善
3-13.配線間TDDB信頼性の基礎：故障メカニズム、LER・Low-k化の影響
3-2.CuとAlの材料物性比較バリアメタル(BM)の要件、材料候補
3-3.BM/シードCuの成膜技術の変遷と課題
3-4.PVD-BMの特性比較とCVD(ALD)技術の課題
3-5.Cu電解めっきプロセスの概要とめっき添加剤の影響
3-6.新規CVDライナー(Ru, Co）のメリットと課題
3-7.CuX合金シードを利用した超薄膜バリア自己形成技術の概要と課題
3-8.Cu配線の微細化・薄膜化に伴う抵抗上昇現象と機構
3-9.モンテカルロシミュレーションによる微細金属配線中の電子散乱効果の解析と高精度抵抗予測
3-10.ストレスマイグレーション(SM)信頼性の基礎と改善の実例
3-11.エレクトロマイグレーション(EM)信頼性の基礎
3-12.各種キャップ(CoW, CuSiNなど）、Ti-BMとの併用によるEM改善
3-13.配線間TDDB信頼性の基礎：故障メカニズム、LER・Low-k化の影響
４．Low-k層間絶縁膜プロセス技術の基礎と最新動向
4-1.Low-k材料の種類と材料候補、プリカーサの変遷
4-2.機械的強度とプラズマダメージ耐性の低下による諸問題
4-3.多孔質化(Porous)材料における機械的強度の改善
4-4.EBキュア、UVキュアの効果と比較
4-5.プラズマダメージ抑制のための施策
4-6.ダメージ修復(Silylation)の原理と効果、今後の技術の方向性
4-7.Ultra low-k対応CMPにおける諸問題と解決策
4-2.機械的強度とプラズマダメージ耐性の低下による諸問題
4-3.多孔質化(Porous)材料における機械的強度の改善
4-4.EBキュア、UVキュアの効果と比較
4-5.プラズマダメージ抑制のための施策
4-6.ダメージ修復(Silylation)の原理と効果、今後の技術の方向性
4-7.Ultra low-k対応CMPにおける諸問題と解決策
５．Cu/Low-k技術の適用限界とPost-Cu/Low-k技術の展望
5-1.金属配線の微細化限界についての考察
5-2.ナノカーボン材料(CNT, グラフェン)の原理的なメリット
5-3.高密度・高速CNT成長の要件とパルス励起プラズマＣＶＤの概要
5-4.微細ビアホールへのCNT成長と導通特性
5-5.グラフェンの配線応用とULSI製造プロセスとの整合性課題
5-6.Low-k材料の機械的強度の限界と代替プロセス(Pore後作り)の可能性
5-7.Air-Gap構造の原理的な課題(自重たわみ、外部荷重/CMP、熱膨張）
5-8.Air-Gap形成プロセスの最新動向と実用化課題
5-9.多層一括後抜きAir-Gapプロセスの概要と今後の課題
5-10.中・長期多層配線材料ロードマップ
5-2.ナノカーボン材料(CNT, グラフェン)の原理的なメリット
5-3.高密度・高速CNT成長の要件とパルス励起プラズマＣＶＤの概要
5-4.微細ビアホールへのCNT成長と導通特性
5-5.グラフェンの配線応用とULSI製造プロセスとの整合性課題
5-6.Low-k材料の機械的強度の限界と代替プロセス(Pore後作り)の可能性
5-7.Air-Gap構造の原理的な課題(自重たわみ、外部荷重/CMP、熱膨張）
5-8.Air-Gap形成プロセスの最新動向と実用化課題
5-9.多層一括後抜きAir-Gapプロセスの概要と今後の課題
5-10.中・長期多層配線材料ロードマップ
６．総括
| 関連セミナー・書籍（テキスト）のご案内 | |
| 8月27日（木） 部品内蔵基板の採用・技術動向と薄型化技術 | |
| 9月22日（水） ＦＭＥＡ／ＦＴＡの正しい考え方と進め方 | |
| 9月28日（火） ドライルームの設計・運転・維持管理のポイント | |
| 9月29日（水） 金属材料の水素分析手法と水素脆性の基礎 | |
| 9月30日（木） モバイル機器用小型内蔵アンテナの設計技術 | |
