最新パワーデバイスの状況とパッケージ技術、実装技術の全容が明快に理解できる!

パワーデバイスの最新動向およびパッケージ・実装技術と高信頼度化

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セミナー概要
略称
パワーデバイス
セミナーNo.
150427
開催日時
2015年04月17日(金) 10:30~16:30
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
江東区産業会館 第1会議室
価格
非会員:  50,906円 (本体価格:46,278円)
会員:  48,125円 (本体価格:43,750円)
学生:  11,000円 (本体価格:10,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
 ★1名で申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
 ★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円(2人目無料)です。
学校関係者価格は、企業に在籍されている研究員の方には適用されません。
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
昼食・資料付き
講座の内容
受講対象・レベル
初級・中級者向け、パワーデバイスの基本を学びたいエンジニア、使用される材料について学びたいエンジニア、最新のパワーデバイスの情報を得たいエンジニアなど。
習得できる知識
最新パワーデバイスの状況
適用アプリケーション
パワーデバイスパッケージ技術
パワーデバイス実装技術
CAE技術の概要 など
趣旨
太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術(小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化)に関して詳細に説明する。
プログラム
1.パワー半導体の種類と適用分野
  1-1 パワー半導体とは?
  1-2 パワー半導体の動作原理と適用回路例
  1-3 パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
2.最新パワーデバイスの動向
  2-1 SJ-MOS
  2-2 IGBT
  2-3 RB-IGBT
  2-4 SiCデバイス
3.パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
  3-1 パワーモジュールパッケージの種類と動向
  3-2 パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題
     小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
  3-3 EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
4.SiCデバイスのモジュール技術
  4-1 SiCデバイスモジュール技術の課題
     小型化、高温化、高信頼度化など
5. パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
  5-1 パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
  5-2 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
6.まとめと今後に向けて
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