2015年04月17日(金)
10:30~16:30
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp
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非会員:
50,906円
(本体価格:46,278円)
会員:
48,125円
(本体価格:43,750円)
学生:
11,000円
(本体価格:10,000円)
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
★1名で申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円(2人目無料)です。
学校関係者価格は、企業に在籍されている研究員の方には適用されません。
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
初級・中級者向け、パワーデバイスの基本を学びたいエンジニア、使用される材料について学びたいエンジニア、最新のパワーデバイスの情報を得たいエンジニアなど。
最新パワーデバイスの状況
適用アプリケーション
パワーデバイスパッケージ技術
パワーデバイス実装技術
CAE技術の概要 など
太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術(小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化)に関して詳細に説明する。
1.パワー半導体の種類と適用分野
1-1 パワー半導体とは?
1-2 パワー半導体の動作原理と適用回路例
1-3 パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
2.最新パワーデバイスの動向
2-1 SJ-MOS
2-2 IGBT
2-3 RB-IGBT
2-4 SiCデバイス
3.パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
3-1 パワーモジュールパッケージの種類と動向
3-2 パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題
小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
3-3 EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
4.SiCデバイスのモジュール技術
4-1 SiCデバイスモジュール技術の課題
小型化、高温化、高信頼度化など
5. パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
5-1 パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
5-2 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
6.まとめと今後に向けて