2016年05月25日（水）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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非会員：
50,906円
（本体価格：46,278円）
会員：
48,125円
（本体価格：43,750円）
学生：
11,000円
（本体価格：10,000円）
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学校関係者価格は、企業に在籍されている研究員の方には適用されません。
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
パワー半導体モジュールの設計・組立・実装技術者、パワー半導体モジュールに適用される部品、材料に関する開発技術者、初級、中級の技術者
・最新のパワーエレクトロニクス技術動向、
・パワー半導体モジュール技術動向
・パワー半導体モジュールのパッケージ技術・組立・実装技術の詳細
近年、太陽光や風力発電などの創エネルギー分野やハイブリッド車や電気自動車による低炭素社会の実現がますます重要なものとなっている。これらの技術の中核を担うのが最新のパワーエレクトロニクス技術であり、高効率化、小型・軽量化に対する取り組みが鋭意されている。本講演ではこれらの技術の基幹部品であるパワー半導体モジュールに関して最新のIGBTモジュールとSiCモジュールについて説明するとともに、パッケージ組立・実装技術に対する課題と最新動向および今後の展開について述べる。
１．はじめに
1-1 パワー半導体とは？
1-2 パワー半導体の動作
1-3 パワー半導体のアプリケーション
a) EV/EHV
b) 太陽光PCS,
c) 風力発電用コンバータ
d) 鉄道車両 など
２．最新Siパワーデバイスの詳細
2-1 第7世代IGBTモジュール
2-2 RB-IGBTモジュール（逆阻止形IGBT）
2-3 ハイブリッド型SiCモジュール
2-4 SiCモジュール
３．最新パッケージ・実装技術
3-1 低熱抵抗化技術
3-2 高放熱化技術
3-3 高パワー密度化技術
3-4 高信頼性技術
４．最新ＳｉＣパッケージ・実装技術
4-1 ＳｉＣパッケージに重要な特性
4-2 最新ＳｉＣパッケージの紹介
５．最新CAE技術
5-1 CAE技術の必要性
5-2 CAE技術の適用例
６．まとめ（今後の展開も含む）
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