1.パワーエレクトロニクスとは?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か
2.最新シリコンIGBTの進展と課題
2-1 IGBT開発のポイント
2-2 IGBT特性向上への挑戦
2-3 薄ウェハフィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
2-4 IGBT特性改善を支える技術
2-5 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
3-4 SiCウェハができるまで
3-5 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
3-6 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
3-7 SiCのデバイスプロセス
3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
3-9 最新SiCトレンチMOSFET
4.高温対応実装技術
4-1 高温動作ができると何がいいのか
4-2 SiCMOSFETモジュール用パッケージ
4-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発