2021年02月01日（月）
13:30～16:30
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・ 最近の先端半導体パッケージのプロセス技術に関心のある方
・ FOWLP/PLPの開発動向、市場動向に関心のある方
・ LCDパネル関連の方
・ チップレットSiPの基礎になるBump、再配線、TSV、Fan-Outパッケージプロセスの基礎知識
・ 異種デバイスの三次元集積化プロセスの基礎
・ FOPLP市場形成の論点整理と技術課題
・ 最近の半導体パッケージの役割を理解するための配線階層を横断する視点
最新のプロセッサ製品は機能別に分割した複数の異種チップとメモリをSiインタポーザやSiPに集積する”チップレット”構造を採用し始め、モジュール性能向上へ拡張する半導体パッケージの役割の変化が顕在化しています。さらに、パネルレベルパッケージプロセスは既存のパッケージ基板、PCB、LCDパネルの業態の変化を促し、新たなエコシステムを構築しつつあります。本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるMicro-Bump、再配線、TSV、FOWLP、三次元デバイス積層のプロセスの基礎を再訪し、再配線の微細化、FOWLP/PLPの三次元化の課題を整理しながら、異種デバイスの三次元集積化を見据えた今後の市場動向と技術動向を展望します。
1.半導体パッケージの役割の変化
1.1.後工程の前工程化
1.2.中間領域プロセスによる価値創出事例
1.3.チップレットSiP
2.三次元集積化デバイス形成プロセス技術と最新動向
2.1.広帯域メモリチップとロジックチップの積層化
a)Logic-on-DRAM SoCデバイス
b)InFO POP
c)2.5Dインテグレーション
2.2.中間領域の基幹プロセスの基礎と留意点
a)再配線形成プロセス
b)マイクロバンプ形成プロセス
c)TSV形成プロセス(via middle, back side via)
2.3.再配線の微細化の課題
a)再配線と絶縁樹脂膜の界面
b)絶縁樹脂膜の平坦化
c)LSIダマシン配線と再配線の構造比較
3.Fan-Out 型パッケージプロセス技術と最新動向
3.1.FOWLPプロセスの基礎と留意点
a)Chip FirstとRDL First
b)再構成モールド樹脂基板の反りとチップシフト
c)プロセスインテグレーション課題
d)FOWLPのコスト構造参考事例
3.2.三次元FOWLPのThrough Mold Interconnect(TMI)
a)CuピラーTMI
b)垂直ワイヤーボンドTMI
c)感光性モールドによるTMIと再配線の一括形成
4.Fan-Out Panel Level Package（FOPLP）の課題
4.1.量産化へ向けて克服すべき課題
4.2.装置開発事例
5.半導体パッケージの開発動向及び市場動向
5.1.三次元集積化開発の動向
a)Hybrid Panel FOによるメモリ多段積層
b)ウエーハ積層による異種デバイス集積化
c)CoWによる異種デバイス集積化
5.2.最近の市場概観
5.3.今後の商流と事業主体の変化
6.まとめ
