2021年02月03日（水）
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・ レジスト、微細加工用材料の基礎知識
・ リソグラフィの基礎知識・最新技術
・ レジスト、微細加工用材料の要求特性
・ レジスト、微細加工用材料の課題と対策
・ レジスト、微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向
メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードとなっている。本講演では、これらのデバイスの微細化を支えるレジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。
1. リソグラフィの基礎
1.1 露光
1.1.1 コンタクト露光
1.1.2 ステップ＆リピート露光
1.1.3 スキャン露光
1.2 照明方法
1.2.1 斜入射（輪帯）照明
1.3 マスク
1.3.1 位相シフトマスク
1.3.2 光近接効果補正（OPC）
1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）
1.4 レジストプロセス
1.4.1 反射防止プロセス
1.4.2 ハードマスクプロセス
1.4.3 化学機械研磨（CMP）技術
1.5 ロードマップ
1.5.1 IRDSロードマップ
1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
1.5.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性
1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
2. レジストの基礎
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
3. レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の最新技術
3.1 液浸リソグラフィ
3.1.1 液浸リソグラフィの基本と課題
3.1.1.1 従来NAレンズでの液浸リソグラフィ
3.1.1.2 高NAレンズでの液浸リソグラフィ
3.1.2 液浸リソグラフィ用トップコート
3.1.3 液浸リソグラフィ用レジスト
3.1.3.1 液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
3.1.3.2 液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
3.2 ダブル/マルチパターニング
3.2.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
3.2.2 リソーエッチ（LE）プロセス用材料
3.2.3 セルフアラインド（SA）プロセス用材料
3.3 EUVリソグラフィ
3.3.1 EUVリソグラフィの基本と課題
3.3.2 EUVレジスト
3.3.2.1 EUVレジストの要求特性
3.3.2.2 EUVレジストの設計指針
3.3.2.2.1 EUVレジスト用ポリマー
3.3.2.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
3.3.2.3 EUVレジストの課題と対策
3.3.2.3.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.3.2.3.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3.3.2.4 最新のEUVレジスト
3.3.2.4.1 分子レジスト
3.3.2.4.2 ネガレジスト
3.3.2.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
3.3.2.4.4 無機/メタルレジスト
3.4 自己組織化（DSA）リソグラフィ
3.4.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
3.4.2 グラフォエピタキシー用材料
3.4.3 ケミカルエピタキシー用材料
3.4.4 高χ（カイ）ブロックコポリマー
3.4.4.1 Si含有型ブロックコポリマー
3.4.4.2 有機型ブロックコポリマー
3.5 ナノインプリントリソグラフィ
3.5.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
3.5.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
3.5.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
3.5.3.1 光硬化材料
3.5.3.2 離型剤
4. リソグラフィの技術展望
5. レジスト、微細加工用材料の技術展望と市場動向
