CMOSイメージセンサの基礎と応用
セミナータイトル
・画像認識デバイス、人工視覚デバイスへのますます広がりを見せる応用講座
最も大切な要素である広範囲な基本特性の理解と、半導体物性にまで踏み込んだ、実用的な知識を修得し応用に活かせ！！
個別相談で、今抱えている問題の解決のヒントを提供いたします。
CMOSイメージセンサの基礎と応用 ～個別相談付～
セミナー概要
セミナー番号 | j100849 |
| 本セミナーは申込受付を終了いたしました。 各種お問い合わせはこちらから | |
会 場 | 小田急第一生命ビル 22Ｆ 研修室 【東京・新宿区】 |
日 時 | 平成22年8月26日（木） 10:30～17:30 |
聴講料 | １名につき47,250円（税込、資料付き） ※昼食は付いておりません 同時複数申込の場合１名：42,000円 お問い合わせ 03-3599-5811 ｍａｉｌ：http://www.rdsc.co.jp/contact/ |
【講座の内容】
【受講対象】
・デジタルカメラ、ビデオカメラ、車載、セキュリティ、ロボット、医療、検査技術、 人工視覚への応用をお考えの設計・開発・研究部門の技術者
【予備知識】
・特になし。基礎から講義を行います。
【修得知識】
・イメージセンサに関する半導体工学の基礎
・イメージセンサの基本
・今、抱えている問題に対する解決のヒント (個別相談)
【講師の言葉】
CMOSイメージセンサの応用分野は、今や一般的なデジタルカメラやビデオカメラだけでなく、車載、セキュリティ、ロボット、医療など様々な分野への展開が急速に進んでいます。CMOSイメージセンサを理解するためには、基本的な半導体物性からプロセス、回路、システムまでのかなり広範囲な知識が必要となります。本講座では、このような広範囲にわたるCMOSイメージセンサ分野の基本特性の理解に必要なエッセンスをできるだけ平易に解説します。
まずCMOSイメージセンサを理解するために必要な最小限の半導体物性からトランジスタの基本動作まで電荷とポテンシャルの観点からそのイメージを掴めるように解説をします。またそれをもとにCMOSイメージセンサの特性に関係するLSIプロセスのポイントを説明します。代表的な画素構造から周辺回路構成までを説明した後、幾つかの課題やCCDとの比較について触れます。最後に応用例を幾つか紹介します。
本講座を通じて、CMOSイメージセンサの基本事項について把握して頂き、今後の開発への一歩として頂ければ幸いです。
【プログラム】
Ⅰ． CMOSイメージセンサ理解のための半導体基本事項
1. 半導体の基礎
a. 半導体の伝導型制御
b. バンドとフェルミエネルギー
c. 拡散
2. PN接合とPNダイオード
3. MOSキャパシタとMOSFET
Ⅱ． CMOSイメージセンサ理解のための受光の基礎事項
1. フォトンの流れ
2. 半導体の光吸収
3. 光電変換
4. フォトダイオード
Ⅲ． 画素構造と特性
1. 3T-APSと4T-APS
2. 暗電流、ノイズ
3. 光学特性
Ⅳ． 応用例
1. CMOSイメージセンサの特徴とCCDとの比較
2. 産業応用・医療応用
Ⅴ． まとめ・質疑応答
Ⅵ． 個別相談 (希望者のみ)
| 関連セミナーのご案内 |
| 7月30日（金） CMOSイメージセンサの基礎とバイオ・医療応用 |
主催：株式会社日本テクノセンター
