三フッ化塩素ガスによるプラズマレスの半導体・MEMSプロセス

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セミナータイトル

半導体プロセス、MEMSプロセスにおける最新の研究開発動向とガス取扱方法などをまとめて紹介します！

三フッ化塩素ガスによるプラズマレスの半導体・MEMSプロセス

セミナー概要

セミナー番号	r100282
	申込受付を終了いたしました。本セミナーに関する各種お問い合わせはこちらから。
会　場	秋葉原ダイビル　8F　日本テクノロジーベンチャーパートナーズ（NTVP）会議室　【東京・千代田区】
日　時	平成22年2月23日（火）　10:00～16:00
聴講料	1名申込　47,250円(税抜：45,000円 + 消費税:2,250円) 2名以上同時申込（1名につき）　39,900円(税抜：38,000円 + 消費税:1,900円) 主催：株式会社リアライズ理工センターお問い合わせ：株式会社Ｒ＆Ｄ支援センター　※TEL:03-3599-5811　MAIL:http://www.rdsc.co.jp/contact/

講座の内容

【講座の趣旨】

　反応性の強いガスを使いこなす技術が研究され、これまで不可能と思われていたことが可能になりつつあります。特に、強い支燃性を有する三フッ化塩素ガスについては、ポリシリコンCVDのリアクタクリーニングに既に使われていますが、それに加えて半導体シリコン・半導体炭化珪素のプロセスに応用することが研究され、CVDリアクタのメンテナンスやトレンチ形成など、半導体・MEMS分野において新たな用途が開拓されつつあります。その研究に興味を引かれている研究者・技術者が多いのですが、新規ガス導入に関しては不安もあり、ガスの使い方・注意点などに質問が集中することも頻繁です。

　そこで、半導体プロセス、MEMSプロセスにおける最新の研究開発動向とガス取扱方法などをまとめて紹介します。

【プログラム】

１．三フッ化塩素ガスによるSi, SiC, SiO2の高速エッチング

　1-1シリコン(Si)エッチング
　1-2炭化珪素(SiC)エッチング（エッチング：鏡面エッチング）
　1-3SiO2エッチング
　1-4リアクタクリーニング技術

２．ノンプラズマプロセスによるシリコントレンチ形成

　2-1.クラスタービーム技術の基本
　　・クラスターの形成原理
　　・クラスタービームの表面衝突
　2-2.ノンプラズマ・クラスターによる異方性エッチング

　　・方法と装置
　　・条件と結果

３．三フッ化塩素ガスの扱い

　3-1.適用法令
　3-2.性質
　3-3.使用方法と安全対策・取扱の注意、など

４．質問

キーワード：ドライ,エッチング,マイクロマシン,講習会