圧電MEMSについて基礎事項から薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを解説

圧電MEMS用PZT薄膜の形成と評価、及びデバイス応用

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セミナー概要
略称
圧電MEMS
セミナーNo.
st141205
開催日時
2014年12月04日(木) 13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5階 第3講習室
価格
非会員:  44,000円 (本体価格:40,000円)
会員:  41,800円 (本体価格:38,000円)
学生:  44,000円 (本体価格:40,000円)
価格関連備考
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の21,600円)】
 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
 ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
 ※他の割引は併用できません。
講座の内容
習得できる知識
圧電薄膜を用いたMEMSデバイスの薄膜形成方法、評価方法、デバイスプロセス技術、応用デバイス技術に関する知識とノウハウ
趣旨
 チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3, PZT)薄膜を用いた圧電MEMSデバイスは、インクジェットヘッド、ジャイロセンサなどが製品化されており、今後はRFスイッチ、振動発電素子、無線センサへの応用に向けた需要増大が予想されています。これに呼応するように、ファウンダリ事業も国内で立ち上がりつつあり、圧電MEMSデバイスは研究、開発から製品化までさまざまなフェーズで活況を呈しています。
 本セミナーでは、このような状況にある圧電MEMSについて、基礎事項から薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを網羅的に解説します。
プログラム
1.MEMS・圧電薄膜・圧電MEMSデバイスの基礎事項
 1.1 実用化されている圧電MEMSデバイス
 1.2 MEMSについて
 1.3 圧電体について
 1.4 PZT薄膜の組成、結晶配向性と圧電特性
 1.5 圧電MEMSデバイス研究開発のポイント

2.圧電薄膜の形成と評価方法
 2.1 様々なPZT薄膜形成方法
 2.1 配向性制御
 2.3 ゾルゲル法による配向性PZT薄膜の形成
 2.4 PZT薄膜の圧電特性評価

3.圧電MEMSデバイス作製プロセスと評価方法
 3.1 圧電MEMSデバイスの作製プロセス
 3.2 アクチュエータ、センサ、振動発電特性の評価
 3.3 パルス電圧印加による高速ポーリング

4.応用展開事例
 4.1 光スキャナ
 4.2 マイクロ静電気センサ
 4.3 無線センサデバイス
 4.4 ヒューマンインターフェースデバイス

5.今後の課題と将来展望

□ 質疑応答 □
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