非会員：
49,500円
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会員：
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学生：
49,500円
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2次元半導体の集積プロセス技術の物理的限界が見えてきたが、3次元積層への移行が急務になってきた。LSIの高速化において、実装基板やICを光信号でつなぐ光配線実装技術が脚光を浴びています。しかし、光関連部品の低コスト化が図られておらず,コネクタ部品の標準化がされていないのが現状であります。さらに、光集積化回路を含めた新しいアーキテクチャが未だ構築されていません。
これらの課題でのブレークスルーは、マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能な回路装置・回路装置パッケージ技術および部品内蔵基板の実用化を実現することであります。チップの複数のボンディングパッドの間の交差接続を行うことができる半導体チップ、プリント基板やパッケージ、インタポーザの構造を簡素化できるプリント基板、半導体チップ被覆ワイヤボンダー及びボンディング方法、半導体チップ・基板間被覆ワイヤボンディング装置及びボンディング方法を詳細に解説します。開発技術では、デバイス設計の自由度が高くなり、低層で安価な基板の採用が可能となり、高密度・大容量電子システムの低コスト技術を可能となりました。ここでは、3次元積層の原理・構造、3次元積層回路装置、回路装置パッケージ技術および部品内蔵基板などについて詳細に徹底説明いたします。
１．3次元積層デバイスの現状と動向
1.1 3次元LSIと積層技術
1) 2次元集積LSIの微細加工限界
2) 機能的多様化による3次元集積（More than Moore）
1.2 LSIの3次元化と課題
1) ワイヤボンディングによる3次元実装
2) シリコン貫通電極(TSV)による3次元積層
1.3 光配線技術の現状と課題
1) 光配線の標準化
2) 光プリント配線板のメリット
3) 光プリント配線板の課題
２．3次元積層回路実装技術の現状と動向（1）
2.1 3次元積層パッケージング技術の現状と課題
1) 常温接合嵌込みSIPによる3次元実装
2) シリコン貫通電極(TSV)
2.2 LSI-インターポーザ間配線技術
1) はんだ充填ビアインタポーザ
2) はんだバンプインタポーザ
3) 銅充填ビアインタポーザ
３．3次元積層回路実装技術の現状と動向（2）
3.1 3次元積層ボンディング技術
1) 被覆線ボンディング
2) ボール－ボールボンディング
3.2 内蔵IC間ボンディング・回路実装技術
1) ボール－ボールボンディングによる内蔵IC間ボンディング
3.3 部品内臓基板
□質疑応答・名刺交換□
