古いままの情報ではいたくない!
分析装置メーカー勤務の講師が贈る、TOF-SIMSの表面・深さ方向の分析ノウハウとその最新動向
様々な分析例でみるTOF-SIMSの有用性と可能性とは!?

TOF-SIMSの基礎と表面・深さ方向の測定・解析・応用
~ユニークな分析手法 TOF-SIMSを使いこなせ!!~

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セミナー概要
略称
TOF-SIMS
セミナーNo.
st150117
開催日時
2015年01月27日(火) 13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5階 第1講習室
価格
非会員:  44,000円 (本体価格:40,000円)
会員:  41,800円 (本体価格:38,000円)
学生:  44,000円 (本体価格:40,000円)
価格関連備考
会員受講料 41,040円
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の21,600円)】
 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
 ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
 ※他の割引は併用できません
備考
※資料付
講座の内容
習得できる知識
・TOF-SIMSの実践的な解析方法
・最新のTOF-SIMSの応用事例
趣旨
 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)法は、無機微量元素とともに有機物の化学構造情報が同時に得られるユニークな表面分析法である。近年は、クラスターイオンビーム技術の導入により、有機物の高感度分析が可能になったほか、深さ方向分析の能力が飛躍的に向上した。著しい進歩を遂げているTOF-SIMSについて、最新の測定・解析技術の実際と応用事例を紹介する。
プログラム
1.表面分析法の特徴
 1.1 表面分析法の種類
 1.2 空間分解能でみた表面分析法の特徴
 1.3 各種質量分析法の比較
 1.4 表面分析法による機能材料評価の特徴

2.TOF-SIMS法の原理と特徴
 2.1 二次イオン質量分析(SIMS)法
 2.2 カスケードモデル
 2.3 飛行時間型分析器
 2.4 一次イオン源
 3.5 スパッタイオン源
 2.6 TOF-SIMS法の特徴

3.クラスターイオンスパッタリングの原理と特徴
 3.1 クラスターイオン源
 3.2 スパイクモデル
 3.3 単原子イオンとクラスターイオンの比較
 3.4 ガスクラスターイオン
 3.5 TOF-SIMSによる深さ方向分析の特徴

4.TOF-SIMS試料のサンプリングとハンドリング
 4.1 TOF-SIMS測定試料の形状
 4.2 ビニール袋、プラスティック容器の問題点
 4.3 サンプリングと保管のための清浄容器
 4.4 粘着テープと固定ペーストによる試料固定
 4.5 粉末試料、断面試料、ファーバー試料のハンドリング 

5.TOF-SIMS測定と解析の実際 
 5.1 TOF-SIMSの測定モード
 5.2 スペクトル測定
 5.3 正イオンスペクトルと負イオンスペクトル
 5.4 マスピークの同定
 5.5 同位体比マーカの利用
 5.6 データベースを利用した化合物の同定
 5.7 マップ測定
 5.8 レトロスペクティブな解析
 5.9 微量金属分析
 5.10 深さ方向分析

6.最新のTOF-SIMSの分析例
 6.1 セラミクス材料の分析例
 6.2 半導体材料の分析例
  6.2.1 半導体材料の表面汚染分析例
  6.2.2 半導体デバイスの深さ方向分析例
  6.2.3 有機半導体デバイスの深さ方向分析例
 6.3 配線材料・電極の分析例
 6.4 有機高分子材料の分析例
  6.4.1 高分子材料の表面分析例
  6.4.2 高分子材料の添加物分布分析例
  6.4.3 高分子材料の3次元分析例
 6.5 薬剤の分析例
 6.6 生体試料の分析例

 □ 質疑応答 □
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