2015年06月29日(月)
10:30~16:30
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp
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非会員:
49,500円
(本体価格:45,000円)
会員:
47,025円
(本体価格:42,750円)
学生:
49,500円
(本体価格:45,000円)
48,600円 ( 会員受講料 46,170円 )
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
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※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
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シリコン、SiCならびにGaNパワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、さらにはSiCパワーデバイス実装技術などを学ぶことが出来ます。
シリコンIGBTは1985年に初めて製品化されて以来、その技術革新には目覚ましいものがある。そして現在ではハイブリッドカーなど、その適用範囲をますます広げ、パワーエレクトロニクス機器のキーデバイスとして中心的な役割をしている。そのIGBTも、シリコンの物性値で決まる特性限界が近づきつつあると言われており、市場の関心はシリコンデバイスからSiCやGaNデバイスにいつ本格的に移行するかというところにある。このSiCパワーデバイスであるが、インバータエアコン、産業用インバータ、電鉄など最近ようやくSiCを搭載したパワーエレクトロニクス機器も適用・販売され始めてきた。また、GaNパワーデバイスも、昨年600Vクラス素子の量産が発表されさらに4.5kW太陽光PCSに搭載・販売が開始された。
SiCパワーデバイスの開発はいったいどこまで進んでいるのか、またどんな課題が残っているのか。SiCデバイスの構造設計やプロセス技術の最新状況を詳細に解説し、シリコンならびにGaNパワーデバイスと比較しながらSiCパワーデバイスの課題や今後の動向についてわかりやすく説明する。また高温・高周波動作に対応する最近の実装技術についても解説する。
1.パワーデバイスの現状
1.1 どんな用途に何が使われているのか?
1.2 パワーデバイスに要求される特性は何なのか
2.最新シリコンIGBTの進展と課題
2.1 なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
2.2 最新IGBTの現状
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 薄ウェハ化の限界
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 そもそもなぜSiCなのか
3.2 何がSiCとGaN適用領域の違いを決めるのか
3.3 SiC-MOSFETがいいのかSiC-IGBTがいいのか
3.4 高温動作ができると何が良いのか
3.5 SiCウェハができるまで
3.6 ステップ制御エピタキシとは
3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3.8 SiCパワー半導体の適用製品発表例:鉄道、産業
3.9 最近のSiCトピックスから見えること
3.10 SiC-MOSFETの課題
3.11 SiC-MOSFET作成プロセスの特徴
3.12 SiCデバイスのイオン注入工程
3.13 インプラ・アニール工程での問題点
3.14 ゲート酸化膜の形成方法
3.15 界面準位のMOSFET特性への影響
3.16 チャネル移動度の報告例
3.17 ゲート電圧印加後のしきい値変動
3.18 SiCデバイス信頼性のポイント
3.19 更なる特性を目指して:SiCトレンチMOSFETの開発
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4.2 最近のトピックス
4.3 Si基板上へのMOCVDによるエピ膜成長
4.4 SiC・GaNデバイスの対象領域
4.5 GaN-HEMTデバイスの特徴
4.6 ノーマリ-オフ特性
4.7 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4.8 GaN-HEMTの課題
4.9 Current Collapse現象メカニズム
4.10 Current Collapse対策
5.高温・高周波対応実装技術
5.1 パワーデバイス動作中の素子破壊例
5.2 高温対応封止材
5.3 SiC-MOSFET新型モジュール外観と断面
6.まとめ
□質疑応答・名刺交換□