★ 単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法を解説!
★ 講師の体験に基づいて、実践的で密度の濃い内容です。 また、最近ホットなアトミックレイヤーエッチングとは?
1.はじめに - 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
1.1 ドライエッチングの概要
1.2 LSIの高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
2.ドライエッチングのメカニズム
2.1 プラズマの基礎
2.2 ドライエッチングの反応過程
2.3 異方性エッチングのメカニズム
2.4 エッチ速度
3.各種材料のエッチング - 表面反応制御によるプロセスの構築
3.1 ゲートエッチング
3.1.1 選択比を支配するキーパラメータ
3.1.2 CDのウェハ面内均一性の制御
3.1.3 Poly-Si、WSi2/Poly-S、W/Poly-Siゲートエッチング
3.2 SiO2エッチング
3.2.1 SiO2エッチングのメカニズム
3.2.2 選択比を支配するキーパラメータ
3.2.3 形状制御
3.2.4 高アスペクト比ホールエッチング、SACエッチング
4.ドライエッチング装置
4.1 CCPプラズマエッチャー
4.2 マグネトロンRIE
4.3 ECRプラズマエッチャー
4.4 ICPプラズマエッチャー
5.最新技術動向
5.1 Low-k Cuダマシンエッチング
5.2 メタルゲート/ High-kエッチング
5.3 FinFETエッチング
5.4 ダブルパターニング
5.5 3D IC用エッチング技術
6.アトミックレイヤーエッチング
6.1 アトミックレイヤーエッチングの歴史
6.2 今なぜアトミックレイヤーエッチングが必要か
6.3 アトミックレイヤーエッチングの原理と特徴
6.4 Siアトミックレイヤーエッチング
6.5 SiO2アトミックレイヤーエッチング
7.おわりに - ドライエッチング技術の今後の課題と展望