~構造、結晶/基板、製造技術、用途展開を基礎から最新動向まで総まくり~
Siパワーデバイス、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス技術動向

徹底解説 パワーデバイス
※会場(部屋)が変更になりました(7/13更新)

製造技術動向から開発動向、材料価格、用途展開等など、パワーデバイスに関する話題を幅広く!
Siパワーデバイス進化史と将来展望及びSiCやGaN等ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題を徹底解説

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セミナー概要
略称
パワーデバイス
セミナーNo.
st170711
開催日時
2017年07月20日(木) 10:30~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 4階 第1グループ活動室
価格
非会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
会員:  47,025円 (本体価格:42,750円)
学生:  49,500円 (本体価格:45,000円)
価格関連備考
48,600円 (会員受講料 46,170円 )
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
  ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
備考
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
講座の内容
受講対象・レベル
・パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
・初心者の受講でも問題ありません
習得できる知識
・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と将来展望
・次世代/次々世代パワーデバイスの克服すべき課題
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
趣旨
 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
 Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
プログラム
1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
 1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
 1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
 
2.パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
 2.1 パワーチップおよびパワーモジュールの構造と要求性能
 2.2 Siパワーデバイス高性能化の歴史
 
3.ワイドギャップ半導体のポテンシャルと開発ターゲット
 3.1 ワイドギャップ半導体のパワーデバイスとしてのポテンシャル
 3.2 ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
 
4.Siパワーデバイスの優位性と将来展望
 4.1 Siパワーデバイスの優位性
 4.2 Siパワーデバイスの将来展望と課題
 
5.次世代/次々世代パワーデバイスの克服すべき課題
 5.1 SiCパワーデバイスの課題
 5.2 GaNパワーデバイスの課題
 5.3 酸化ガリウム/ダイヤモンドパワーデバイスの課題
 
6.まとめ ~パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位~
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