2017年07月20日(木)
10:30~16:30
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp
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非会員:
49,500円
(本体価格:45,000円)
会員:
47,025円
(本体価格:42,750円)
学生:
49,500円
(本体価格:45,000円)
48,600円 (会員受講料 46,170円 )
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
・パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
・初心者の受講でも問題ありません
・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と将来展望
・次世代/次々世代パワーデバイスの克服すべき課題
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
2.パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
2.1 パワーチップおよびパワーモジュールの構造と要求性能
2.2 Siパワーデバイス高性能化の歴史
3.ワイドギャップ半導体のポテンシャルと開発ターゲット
3.1 ワイドギャップ半導体のパワーデバイスとしてのポテンシャル
3.2 ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
4.Siパワーデバイスの優位性と将来展望
4.1 Siパワーデバイスの優位性
4.2 Siパワーデバイスの将来展望と課題
5.次世代/次々世代パワーデバイスの克服すべき課題
5.1 SiCパワーデバイスの課題
5.2 GaNパワーデバイスの課題
5.3 酸化ガリウム/ダイヤモンドパワーデバイスの課題
6.まとめ ~パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位~