非会員:
44,000円
(本体価格:40,000円)
会員:
41,800円
(本体価格:38,000円)
学生:
44,000円
(本体価格:40,000円)
43,200円 (会員受講料 41,040円 )
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
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4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか?
本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。
1.SiCパワー半導体の特徴
1.1 パワーデバイスへの期待
1.2 SiCを用いることの利点
1.3 SiCパワーデバイスの現状
2.SiCの熱酸化の理解
2.1 MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
2.2 SiCと酸素の熱力学
2.3 SiCの熱酸化機構と速度論
2.4 SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
2.5 SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
3.SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針
3.1 MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
3.2 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
3.3 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
3.4 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
3.5 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い
4.SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
4.1 SiC MOSFETの動作と課題
4.2 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?
□質疑応答・名刺交換□