★ 良好なMOS特性に必要なのは、SiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化すること。

パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術
~SiC特有のMOSデバイス形成の課題とその克服のための指針、ゲート絶縁膜の性質と評価~

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セミナー概要
略称
SiC-MOSFET
セミナーNo.
st181107
開催日時
2018年11月14日(水) 13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5F 第1講習室
価格
非会員:  44,000円 (本体価格:40,000円)
会員:  41,800円 (本体価格:38,000円)
学生:  44,000円 (本体価格:40,000円)
価格関連備考
43,200円 (会員受講料 41,040円 )
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の21,600円)】
  ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
   (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。
備考
※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
講座の内容
習得できる知識
・SiC特有の、MOSデバイス形成の課題と、その克服のための指針
・SiC上のゲート絶縁膜の性質と評価手法
趣旨
 4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか?
 本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。
プログラム
1.SiCパワー半導体の特徴
 1.1 パワーデバイスへの期待
 1.2 SiCを用いることの利点
 1.3 SiCパワーデバイスの現状
 
2.SiCの熱酸化の理解
 2.1 MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
 2.2 SiCと酸素の熱力学
 2.3 SiCの熱酸化機構と速度論
 2.4 SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
 2.5 SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
 
3.SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針
 3.1 MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
 3.2 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
 3.3 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
 3.4 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
 3.5 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い

4.SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
 4.1 SiC MOSFETの動作と課題
 4.2 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?

  □質疑応答・名刺交換□

 

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