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酸化ガリウムパワー半導体の第一人者と実用化に向けた取り組みを加速する気鋭の企業が解説!
材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどパワーデバイス開発の状況、課題と展望まで。

酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と実用化に向けた開発動向

~期待を集めるGa2O3デバイスの基礎から開発事例、課題・展望を解説~

セミナー概要

略称
酸化ガリウム
セミナーNo.
st190412  
開催日時
2019年04月18日(木)11:00~16:20
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
芝エクセレントビル B1F KCDホール 
講師
【第1部】 
 (国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター
 センター長 東脇 正高 氏

 <略歴>
 平成10年   大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士(工学)
 平成10-12年  日本学術振興会 博士特別研究員
 平成12年   郵政省通信総合研究所 研究員 [平成16年4月 情報通信研究機構に改組]
 平成16年   情報通信研究機構 主任研究員
 平成19-22年  米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校 プロジェクト研究員(情報通信研究機構より転籍出向)
 平成22年   情報通信研究機構へ復帰 主任研究員
 平成24年   情報通信研究機構 総括主任研究員
 平成25年   情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター センター長、現在に至る
 <専門>
 化合物半導体電子デバイス
 <受賞歴>
 平成17年 第27回応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞)
 平成18年 第28回応用物理学会論文賞
 平成19年 The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound
      Semiconductors(ISCS)
 平成21年 丸文研究奨励賞
 平成25年 第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
 平成27年 第11回日本学術振興会賞

【第2部】
 (株)FLOSFIA 営業部 部長 井川 拓人 氏

 <経歴>
 2010年京大工学部、12年京大院電子工学修士。京都大学藤田静雄研究室にてミストCVD技術開発に従事。
 在学中の2011年、FLOSFIA設立のファウンダーとして現社長とともに事業運営に参画。
 2012年伊藤忠商事に入社、オーストラリア駐在を経て、2017年1月よりFLOSFIAに復帰、営業部長に就任。
価格
非会員: 48,600円(税込)
会員: 46,170円(税込)
学生: 48,600円(税込)
価格関連備考
48,600円 (会員受講料 46,170円 )
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円

※2名様とも会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
備考
資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

プログラム

第1部 酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向、課題と展望


 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
 本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。

【得られる知識】
 ・Ga2O3物性の基礎知識
 ・バルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの
  各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

【プログラム】
 1.はじめに
   1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
   1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途

 2.Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
   2.1 単結晶バルク融液成長
   2.2 単結晶Ga2O3ウェハー

 3.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   3.1 MBE成長
   3.2 HVPE成長

 4. Ga2O3トランジスタ開発
   4.1 横型MESFET
   4.2 横型DモードMOSFET
   4.3 横型フィールドプレートMOSFET
   4.4 横型EモードMOSFET
   4.5 縦型DモードMOSFET (CAVET)
   4.6 国内外他機関のGa2O3トランジスタ開発動向

 5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   5.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   5.2 縦型フィールドプレートSBD
   5.3 国内外他機関のGa2O3ダイオード開発動向

 6. まとめ、今後の課題

 □ 質疑応答 □
 

第2部 酸化ガリウムパワーデバイス製品開発の取り組みと展望


 酸化ガリウム(Ga2O3)は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップを持つ半導体であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる魅力的な新材料である。また、低コスト化への取り組みも進んでおり、次世代パワーデバイスの本命材料とも
見られつつある。
 本講演ではFLOSFIAと京都大学がこれまで行ってきた取り組みや最新のデバイスデータについて発表する。

【プログラム】
 1.FLOSFIA会社概要

 2.α-Ga2O3について

 3.パワーデバイスとしてのこれまでの成果と課題

   3.1 世界トップデータのオン損失
   3.2 スイッチング損失の低減
   3.3 熱抵抗低減への取り組み
   3.4 FETへの取り組み
   3.5 コスト競争力

 4. FLOSFIAのビジネスモデルと今後のマーケット

 5. ミストドライ法紹介

 6. まとめ


 □ 質疑応答 □

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