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非真空プロセス、低イニシャルコスト・運用コスト、大面積の膜形成が可能などと言った特徴を持つ薄膜形成技術ミスト化学気相成長法(Mist Chemical Vapor Deposition:Mist CVD)。本セミナーでは、そのミストCVDの概要から作製した膜やデバイスの特性、技術動向、今後の展望まで解説する。

ミストCVD技術の開発と今後の可能性

※日程が8/28(金)へと延期となり、また会場受講なしのLive配信セミナーへ変更となりました(6/18更新)

セミナー概要

略称
ミストCVD
セミナーNo.
st200619  
開催日時
2020年08月28日(金)12:30~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます 
講師
高知工科大学 システム工学群 教授 川原村 敏幸 氏

【学位/専門】
 博士(工学)/化学工学・電子工学

【その他 活動など】
 CVD研究会 幹事
 応用物理学会 プログラム委員
 薄膜材料デバイス研究会 実行委員(助成金担当)
価格
非会員: 35,200円(税込)
会員: 33,440円(税込)
学生: 35,200円(税込)
価格関連備考
35,200円 ( 会員受講料 33,440円 )
 定価:本体32,000円+税3,200円
 会員:本体30,400円+税3,040円
※1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※他の割引は併用できません。
備考
※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。

  ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 ・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。
 ・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
 ・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
 ・セミナー資料は事前にお申し込み時のご住所へ発送させて頂きます。
 ・開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、
   ご了承下さい。Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
 ・リアルタイムで講師へのご質問も可能です。
  ・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。

講座の内容

習得できる知識
・機能膜作製プロセス
・大気圧・非真空プロセス
・溶液プロセス
・ミストCVD
・電子デバイス(ディスプレイ・センサー・スイッチング素子・発光素子・量子素子)
・コーティング(不動態膜・透明導電膜)
・組成制御
・反応工学
趣旨
 大気圧下で大面積に亘り高品質な機能膜を形成するための技術として開発してきたミストCVDに関して、経緯、歴史、作製膜の特性、デバイス、ミストCVDに関する物理、次世代へ向けた開発の方向性等、詳しく説明します。
プログラム

第1部 ミストCVD技術の開発初期
1.緒言
 1.1 自己紹介
 1.2 高知工科大学について
 1.3 高知工科大学 総合研究所について
 
2.機能膜作製技術の現状とこれからの開発ポイント
 2.1 どういった物に利用されているのか
 2.2 それらを作製するシステムの大きさやコストについて
 2.3 省エネプロセスの必要性とそれが達成されない理由
 2.4 大気圧下で対象とする機能膜を形成する為のポイント
 
3.ミストを利用した機能膜形成技術「ミストCVD」の特徴
 3.1 ミスト法とは
 3.2 従来の成膜手法に対するミストCVD法の立場
 3.3 超音波噴霧を利用した機能膜形成技術の歴史
 
4.原料供給手段に超音波噴霧を利用する利点
 4.1 各種液滴の発生法
 4.2 一般環境下で薄膜を形成するために適した液滴発生法とは
 
5.ミスト流を用いた機能膜作製システムの装置群
 5.1 ミスト流を用いた機能膜作製システム
 5.2 原料供給器
 5.3 成膜反応装置周囲の基本システム
 
6.ミストCVDの物理1
 6.1 均質膜を作製する為の3つの手段
 6.2 液滴のライデンフロスト状態
 
第2部 ミストCVD技術の応用と発展
7.ファインチャネル(FC)システムvsホットウォール(HW)システム
 7.1 解析構造・条件
 7.2 結果
 
8.ミストCVDで作製出来る機能膜
 8.1 これまでに形成できた薄膜種
 8.2 酸化亜鉛系(ZnO)
 8.3 酸化ガリウム系(Ga2O3)
 8.4 酸化アルミニウム(AlOx)
 8.5 酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)
 8.6 有機膜
 8.7 層状硫化モリブデン(MoS2)
 8.8 その他
 
9.ミストCVDで作製したデバイス
 9.1 大気圧手法により形成された酸化物TFTの現状
 9.2 ミストCVDによるIGZO TFTの作製
 9.3 特性および最適化
 9.4 その他のデバイス(IGZO, Ga2O3, SnO2 MESFET, Organic SC等)
 
10.ミストCVDによる量子素子の作製とその特徴
 10.1 大気圧下で量子井戸が形成できる理由
 10.2 作製した量子井戸の特徴
 
11.ミストCVDの物理2

 11.1 ミスト同士は衝突しない
 11.2 複合反応の抑制
 11.3 組成制御技術
 
12.ミストCVDの物理3
 12.1 反応炉内でのミスト液滴の挙動
 12.3 ミスト流を利用した成膜プロセスにおける反応メカニズム
 
13.まとめ
 13.1 ミストCVDとこれからのミストCVD
 13.2 ミストCVDの他なる可能性
 
□ 質疑応答・名刺交換 □

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