★ ますます要求が高くなる半導体の高集積化。近づく5nmロジックノード。
★ 半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、レジスト材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新動向
１．リソグラフィの基礎
1.1 露光
1.1.1 コンタクト露光
1.1.2 ステップ＆リピート露光
1.1.3 スキャン露光
1.2 照明方法
1.2.1 斜入射（輪帯）照明
1.3 マスク
1.3.1 位相シフトマスク
1.3.2 光近接効果補正（OPC）
1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）
1.4 レジストプロセス
1.4.1 反射防止プロセス
1.4.2 ハードマスクプロセス
1.4.3 化学機械研磨（CMP）技術
1.5 ロードマップ
1.5.1 IRDSロードマップ
1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
1.5.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性
1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
２．レジスト材料の基礎
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
３．リソグラフィ、レジスト材料の最新技術
3.1 液浸リソグラフィ
3.1.1 液浸リソグラフィ用トップコート
3.1.2 液浸リソグラフィ用レジスト
3.1.2.1 液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
3.1.2.2 液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
3.2 ダブル/マルチパターニング
3.2.1 リソーエッチ（LE）プロセス
3.2.2 セルフアラインド（SA）プロセス
3.3 EUVリソグラフィ
3.3.1 EUVレジストの要求特性
3.3.2 EUVレジストの設計指針
3.3.2.1 EUVレジスト用ポリマー
3.3.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
3.3.3 EUVレジストの課題と対策
3.3.3.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.3.3.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3.3.4 最新のEUVレジスト
3.3.4.1 分子レジスト
3.3.4.2 ネガレジスト
3.3.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
3.3.4.4 無機/メタルレジスト
3.4 自己組織化（DSA）リソグラフィ
3.4.1 グラフォエピタキシー
3.4.2 ケミカルエピタキシー
3.4.3 高χ（カイ）ブロックコポリマー
3.5 ナノインプリントリソグラフィ
3.5.1 加圧方式
3.5.2 光硬化方式
3.5.2.1 光硬化材料
3.5.2.2 離型剤
４．レジスト材料の技術展望、市場動向
□質疑応答□