デバイスの性能など物理的な知識とデバイス構造などの工学的な知識の相互関係を把握することでより深い理解を！！
「半導体物性」「デバイス構造と動作原理」「回路設計とデバイスの選定」
１．パワーエレクトロニクスとパワーデバイスの概要
1.1 パワーエレクトロニクスの概要
1.2 パワーデバイスの概要
２．ここだけは抑えておきたい半導体物性
2.1 バンドギャップの正体とバンド図
2.2 金属，半導体，絶縁体とフェルミレベル
2.3 純粋なSiの真正半導体と混ぜ物が主役を果たすn型，p型
2.4 電子・ホール密度の定量的扱い
2.5 デバイスの動作速度も支配する移動度
３．電子機器、家電、車両、産業機器で最も重要なパワーMOSFETとIGBT
3.1 パワーMOSFET
3.2 低出力用途の横型(プレーナ型) 構造、電気特性
3.3 高出力用途の縦型MOSFET
①構造と動作原理
②ボディ・ダイオード
③縦型MOSFETの抵抗
④縦型MOSFETの容量
⑤縦型MOSFETのスイッチング動作（ミラー効果）
3.4 IGBT
①構造と動作原理
②トランジスタ部分の特性
③IGBTの動作特性
４．パワーデバイスのゲート回路とデバイスの選定
4.1 パワーデバイスの損失
4.2 パワーデバイスのゲート回路
4.3 パワーデバイスの選定・確認
4.4 パワーデバイスの発熱
□ 質疑応答 □