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EVシフトに向けたSi・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと市場展望

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セミナー概要

略称
パワーデバイス
セミナーNo.
stb180103  
開催日時
2018年03月27日(火)10:30~16:30
主催
S&T出版(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
東宝土地 会議室(高橋ビルヂング) 会議室
価格
非会員: 49,800円(税込)
会員: 47,300円(税込)
学生: 49,800円(税込)
価格関連備考
49,800円 (Eメール案内登録価格:1名47,300円,2名49,800円,3名74,700円)
※資料付
※Eメール案内登録(無料)される方は、通常1名様49,800円から
 ★1名で申込の場合、47,300円
 ★2名同時申込での場合は、2名様で49,800円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で74,700円。
 ※2・3名同時申込は同一法人内に限ります。
 ※2・3名様ご参加は2、3名様分の参加申込が必要です。
  ご連絡なく2、3名様のご参加はできません。

講座の内容

受講対象・レベル
パワーエレクトロニクス開発、パワーデバイス開発ご担当だけだはなく、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者も十分理解できる内容です。教養程度の工学の知識があれば十分理解できるよう、わかりやすく解説します。
習得できる知識
・過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
・パワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
・SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
趣旨
 2017年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。
プログラム
1. パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か

2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1 IGBT開発のポイント
 2-2 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
 2-3 IGBT特性向上への挑戦
 2-4 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2-5 IGBT特性改善を支える技術
 2-6 薄ウェハ化の限界
 2-7 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
 2-8 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発

3. SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのSiに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
 3-8 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
 3-9 他の用途への展開の可能性について
 3-10 SiCのデバイスプロセス
 3-11 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-12 最新SiCトレンチMOSFET 

4. GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-5 GaN-HEMTの課題
 4-6 Current Collapse現象メカニズム
 4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
 4-8 縦型GaNデバイスの最新動向

5. 高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6.まとめ
     【質疑応答・名刺交換・個別相談】

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