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ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題から業界動向まで【WEBセミナー】

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セミナー概要
略称
パワーデバイス【WEBセミナー】
セミナーNo.
cmc251101
開催日時
2025年11月04日（火） 13:30～16:30
主催
（株）シーエムシー・リサーチ
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
価格
非会員： 44,000円（税込）
会員： 39,600円（税込）
学生： 44,000円（税込）
価格関連備考
1名につき 44,000円（税込）※ 資料付

メール会員登録者は 39,600円（税込）
★【メール会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員がメール会員登録していただいた場合、1名あたりの参加費がメール会員価格の半額となります。
★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
※セミナー請求書は代表者のメールアドレスにPDFデータを添付しお送りいたします。
備考
・本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
　お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
　 　→ https://zoom.us/test
・当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
・お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。
　この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
・ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
・「Zoom」についてはこちらをご参照ください。
講座の内容
受講対象・レベル
・パワーデバイス開発者
・パワーデバイス用結晶開発者
・パワーエレクトロニクス機器開発者
・半導体技術者検定「2級パワーエレクトロニクス」受検者
習得できる知識
・パワーデバイスの用途と進化の歴史
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造と製造技術、
・次世代パワーデバイス（SiC、GaN、酸化ガリウム）の優位性と課題、
・パワーデバイス業界の動向、
・日本の地位と海外メーカ（中国、欧米）の動向
趣旨
　次世代パワーデバイスとしてワイドギャップ半導体への期待が高く、試作および少量量産品の性能は良好である。しかしながら、究極にまで洗練されたSiパワーデバイスと比較して、本格的な量産にはコストや信頼性など課題が多く存在している。最も開発が進んでいるSiCパワーデバイスは、海外メーカの躍進に対し日本メーカの存在感は薄い。GaN-HEMTはSiやSiCでは実現不可能な高速デバイスが実現でき実用化もされているが、SiC以上に日本の存在感は薄い。酸化ガリウムパワーデバイスは、唯一日本が主導権を握っており、期待が大きい。
　本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史から最新動向までを、詳細に解説する。
プログラム

１．パワーデバイスの概要
　1-1　パワーデバイスの用途
　1-2　Siパワーデバイスの進化

２．SiCパワーデバイス
　2-1　SiCパワーデバイスの優位性
　2-2　SiC単結晶/ウエハ製造の課題
　2-3　SiCパワーデバイス性能および信頼性の課題

３．GaNパワーデバイス
　3-1　GaNパワーデバイスの優位性
　3-2　GaNパワーデバイス用ウエハ製造の課題
　3-3　GaNパワーデバイスの課題

４．酸化ガリウムパワーデバイス
　4-1　酸化ガリウムパワーデバイスの優位性
　4-2　酸化ガリウム単結晶製造の課題
　4-3　酸化ガリウムパワーデバイスの課題

５．パワーデバイスの将来展望
　5-1　パワーデバイス業界の動向
　5-2　パワーデバイス業界における日本の地位
　　
６．Q&A


※ 適宜休憩が入ります。

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