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★ アーカイブ受講のみもOKです。
★ 最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説します。

ドライエッチング技術の基礎と
原子層エッチング（ALE）の最新技術動向【WEBセミナー】
■最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術■
■半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）■

アーカイブ配信付

セミナー概要
略称
ドライエッチングとALE【WEBセミナー】
セミナーNo.
st250816
開催日時
2025年08月27日（水） 10:30～16:30
主催
サイエンス＆テクノロジー（株）
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
大阪大学エマージングサイエンスデザインR³センター
特任教授・名誉教授　浜口 智志　氏

【経歴】
1982年東京大学理学部物理学科卒業
1987年同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年テキサス大学物理学科核融合研究所（IFS)　研究員
1990年-1998年IBM ワトソン研究所主任研究員
1998年-2004年京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-2025年　大阪大学工学研究科・教授
2025年-現在　大阪大学エマージングサイエンスデザインR³センター特任教授（常勤）・名誉教授

【学位】理学博士、Ph.D. in mathematics
【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学
【学会活動】国際真空科学技術応用国際連合（IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、ライプニッツ・プラズマ科学技術研究所（ドイツ）科学諮問評議会委員、プラズマ医療国際学会（IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、等。
【受賞】2016:プラズマ賞・米国真空学会（AVS), 2012:米国物理学会（APS)フェロー、2011:AVSフェロー、2019ドイツ研究振興協会メルカトールフェロー、2022：日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会プラズマ材料科学賞　等

【WebSite】http://www.camt.eng.osaka-u.ac.jp/hamaguchi/
価格
非会員： 44,000円（税込）
会員： 42,020円（税込）
学生： 44,000円（税込）
価格関連備考
定　価　：1名につき 44,000円（税込）
会員価格：1名につき 42,020円　2名の場合 55,000円、3名の場合 82,500円（税込）

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※他の割引は併用できません。
※請求書は主催会社より代表者のメールアドレスにご連絡いたします。
特典
アーカイブ配信について
視聴期間：【2025年8月28日(木)～9月3日(水)】を予定しております。
※アーカイブは原則として編集は行いません。
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。
備考
※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

【ライブ配信（Zoom使用）セミナー】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
　PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・お申し込み後、接続確認用URL（https://zoom.us/test）にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
講座の内容
習得できる知識
・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング（ALE)の基礎知識と最新技術動向
趣旨
　本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
プログラム

１．背景

２．プラズマ科学の基礎

３．代表的なプラズマプロセス装置

４．反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　4.1 プラズマ表面相互作用
　4.2 表面帯電効果
　4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
　4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　4.5 高アスペクト比（HAR)エッチング概要

５．プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として

６．ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　6.1 熱ALD
　6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

７．ALEプロセスの概要と最新技術動向
　7.1 PA-ALE
　7.2 熱ALE：リガンド交換
　7.3 熱ALE：金属錯体形成

８．半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）
　8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
　8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
　8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
　8.4 プロセス開発における機械学習（ML)・AIの活用

９．まとめ

　　□質疑応答□

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