１．最新デバイス動向とCMP
1-1 AIとIoT
1-2 トランジスタ構造の変遷
1-3 メモリデバイスの分類と動向
1-4 パッケージ技術への応用
1-5 国際会議（ICPT2018）における注目トピックス
２．CMP装置
2-1 半導体の製造方法とCMPの歴史
2-2 CMP装置の構成
2-3 ヘッド構造
2-4 終点検出技術
2-5 APC
３．CMPによる平坦化
3-1 ＣＭＰによる平坦化工程の分類
3-2 平坦化のメカニズム
４．CMP消耗材料
4-1 各種スラリーの基礎
4-2 砥粒の変遷
4-3 添加剤の役割
4-4 スラリーの評価方法
4-5 研磨パッドの基礎
4-6 研磨パッドの評価方法
4-7 コンディショナーの役割
５．CMPの応用
5-1 CuCMPの詳細
5-2 最新のトランジスタCMP工程
5-3 各種基板CMP
5-4 CMPのプロセス評価方法
６．CMPの材料除去メカニズム
6-1 研磨メカニズムモデルの歴史
6-2 新しいモデル～Ｆｅｒｅｔ径モデル
6-3 Ｆｅｒｅｔ径モデルの数値検証
6-4 Ｆｅｒｅｔ径モデルに基づく開発のヒント
７．まとめ
【質疑応答・名刺交換】