スパッタリングの基礎と薄膜における内部応力抑制および付着力（2日間）

１．基盤技術
　1-1.真空の基礎
　1-2.プロセスプラズマの基礎
　1-3.薄膜成長機構の基礎

２．スパッタリング法の基礎
　2-1.スパッタリングとは
　2-2.スパッタリング率とスパッタリング粒子の持つエネルギー・サーマライゼーション
　2-3.スパッタリング法により堆積された薄膜構造の特徴
　　2-3-1.スパッタリングされた粒子の持つエネルギーの膜構造への影響
　　2-3-2.基板温度・放電圧力の膜構造への影響
　　2-3-3.スパッタリング法の非平衡性とその薄膜物性への影響

３．各種スパッタリング法
　3-1.直流スパッタリング法
　3-2.高周波スパッタリング法
　3-3.イオンビームスパッタリング法
　3-4.反応性スパッタリング法
　　3-4-1.反応性スパッタリング法と非反応性スパッタリング法
　　3-4-2.化合物モードと金属モード
　　3-4-3.化合物薄膜堆積における薄膜堆積速度の向上
　　3-4-4.化合物薄膜堆積における負イオンの影響

４．弱点を克服したスパッタリング法
　4-1.パルススパッタリング法とACスパッタリング法
　4-2.ハイパワーパルススパッタリング法
　4-3.イオン化スパッタリング法
　4-4.分離スパッタリング法

５．スパッタリングターゲット
　5-1.スパッタリングターゲットの役割
　5-2.スパッタリングターゲットに求められる品質
　5-3.ターゲット品質の薄膜物性および再現性への影響
　5-4.ターゲット組成と薄膜組成

６．薄膜における内部応力
　6-1.内部応力とは
　6-2.内部応力の種類と発生機構
　6-3.内部応力の評価方法
　6-4.薄膜の構造と内部応力
　6-5.内部応力評価の実例
　6-6.応力の抑制方法

７．薄膜の付着力とは
　7-1.付着のメカニズム
　7-2.付着力と応力－力がかからなければ薄膜ははがれない－
　7-3.付着力の評価方法
　7-4.付着力評価の例
　7-5.付着力の向上手法
　7-6.基板硬さと付着力の関係

８．スパッタリングプロセスのさらなる安定化を目指して
　8-1.チャンバー内の状態がプラズマの安定性に与える影響
　8-2.チャンバー内の状態が薄膜物性に与える影響
　8-3.ターゲットの状態がプラズマおよび薄膜物性に与える影響
　8-4.パッシブ制御から予知制御へ

９．まとめ

【質疑応答・名刺交換】