先端的デバイス製作に必須の超精密研磨/CMPプロセス技術の基本原理から将来型加工技術へ
【WEBセミナー】

　
本セミナーは下記の３部構成になっております。
◆基礎編；加工メカニズム、消耗資材としてのパッド・スラリー等、平坦化CMP技術
◆応用編；SiC/GaN/ダイヤモンド基板を主とする難加工材料の加工プロセス技術
◆将来加工技術編；加工環境制御CMP、プラズマ融合CMP、その他の将来加工技術

１．基礎編；超精密加工技術の基礎編（１）
－研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解－
　　1-1. 超精密研磨（研削/ラッピング/ポリシング/CMP等）技術の位置づけ/必要性と適用例
　　1-2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
　　1-3. 各種機能性材料の超精密ポリシング
　　　　－コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて－
（ここで登場する被加工用基板;HD・光ファイバ用ガラス、Si、サファイア、GaAs、LT、水晶、GGG、SiC、有機結晶など）

２．基礎編；消耗資材・周辺加工技術の基礎編（２）
－加工メカニズムとパッド・スラリー、コンディショニング、リサイクル技術の事例－
　　2-1. 硬軟質二層構造パッド
　　　　－高精度高品位化パッドの考案・試作－
　　2-2. ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
　　2-3. レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒
　　　　－ガラスの研磨事例－
　　2-4. スラリーのリサイクル技術
　　　2-4-1 ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
　　　2-4-2 メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
　（ここで登場する被加工用基板;Si、SiC、HD用ガラス、メタルW、GaNなど）

３．応用編；超精密加工技術の応用編
－超LSIデバイスの多層配線加工用の平坦化（プラナリゼーション）CMP技術を徹底理解－
　　3-1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
　　3-2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例
　　　　－パッド・スラリーそして装置－
　　3-3. パッドのドレッシング
　　　　－非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案－
　　3-4. CMP用スラリーの設計と
　　　　　　　　そのために必須のダイナミック電気化学（ｄ－EC）装置の紹介
　　3-5. Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
　（ここで登場する被加工用基板;Si、SiO2、Cu、W、Co、Ta、TaN、TiNなど）

４．将来加工編；将来加工技術
－革新的高能率・高品質加工プロセス技術（SiC・GaN/Diamond基板を対象として）－
　　4-1. 将来型加工技術に向けて
　　　4-1-1 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
　　　4-1-2 パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
　　4-2. 革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
　　　4-2-1 加工条件改良型ブレークスルー
　　　　　　・ダイラタンシーパッド
　　　　　　・高速高圧加工装置の考案
　　　　　　・加工プロセス・加工特性事例
　　　4-2-2 挑戦型加工によるブレークスルー
　　　　　　・将来型プラズマ融合CMP法の考案
　　　　　　・加工特性事例
　（ここで登場する加工用基板;SiC、HD用ガラス、GaN、ダイヤモンド、サファイア、Si、SiO2など）

５．総括編；今後の加工技術を捉える
－深化するAIと“シンギュラリティ（技術的特異点）”を見据えて－
　　　≪重要三大加工技術のキーワード≫
　　　　　・超精密CMP融合技術
　　　　　・超薄片化プロセス技術
　　　　　・大口径超精密ボンディング技術

【質疑応答】