※延期になりました。延期日程を講師と調整中です。
第1部 薄膜作成の基礎
1.薄膜作製プロセス概論
1.1 薄膜の種類と用途:ULSI,MEMS,太陽電池,LED/LD
1.2 ウェットプロセスとドライプロセス,PVDとCVD
1.3 CVDプロセスの特徴
1.4 半導体デバイス,高集積化・微細化とALD技術
2.真空の基礎知識と薄膜形成の基礎
2.1 真空蒸着
2.2 真空度・真空の質,平均自由行程
2.3 各種PVD技術
3.CVD/ALDプロセス概論
3.1 CVDプロセスの原理と特徴,応用例
3.2 ALDプロセスの原理と歴史的展開
3.3 ALDプロセスの特徴と応用・発展
3.4 ALEt プロセスの原理と特徴
第2部 ALD/CVD 反応機構と速度論
1.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
1.1 CVDプロセスの素課程
1.2 CVDプロセスの速度論
1.2.1 製膜速度の温度依存性,表面反応律速と拡散律速
1.2.2 製膜速度の濃度依存性,1次反応と
ラングミュア・ ヒンシェルウッド型反応
1.3 CVDプロセスの均一性
2.表面・気相の反応機構解析入門
2.1 素反応機構と総括反応機構
2.2 気相反応の第一原理計算と精度
2.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
第3部 ALDプロセスの基礎と展開
1.ALDプロセスの基礎
1.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
1.2 ALD プロセスの理想と現実
2.ALDプロセスの展開と応用
2.1 ALDプロセスの応用用途
2.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
2.3 HW-ALDによる高品質Ni薄膜の合成
2.4 ALD-Co(W)/CVD-Cu(Mn)による高信頼性ULSI配線形成
まとめ <質疑応答>
※プログラムは若干変更になる可能性がございます。ご了承下さい。