ALD(原子層堆積法)ALEt(原子層エッチング)の基礎・応用・最新動向【LIVE配信】
~ALD/ALEtの原理,理想特性と現実とのギャップ,高品質化・最適化のコツを学ぶ~

※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。

※延期になりました。延期日程を講師と調整中です。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
ALD【WEBセミナー】
セミナーNo.
211051
開催日時
2021年10月08日(金) 10:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
★1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。
★3名以上同時申込は1名につき27,500円(税込)です。
会員登録とは?⇒よくある質問
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
資料付き

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントを
  ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
  ついてはこちらをご覧ください。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
  10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
  ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
CVD/ALD法を基礎から学びたい研究者・技術者
エッチングへの応用としてのALEtに興味のある、研究者・技術者
習得できる知識
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・前記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
・解析能力・エッチングへの応用としてALEt
趣旨
 Atomic Layer Deposition(ALD、原子層堆積法)による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition(CVD、気相薄膜形成法)と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
 このため、本講座では、第1部で各種の薄膜作成の基礎を概説、第2部でALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、第3部ではALDプロセスの理想と 実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
プログラム

第1部 薄膜作成の基礎
1.薄膜作製プロセス概論
  1.1 薄膜の種類と用途:ULSI,MEMS,太陽電池,LED/LD
  1.2 ウェットプロセスとドライプロセス,PVDとCVD
  1.3 CVDプロセスの特徴
  1.4 半導体デバイス,高集積化・微細化とALD技術
2.真空の基礎知識と薄膜形成の基礎
  2.1 真空蒸着
  2.2 真空度・真空の質,平均自由行程
  2.3 各種PVD技術
3.CVD/ALDプロセス概論
  3.1 CVDプロセスの原理と特徴,応用例
  3.2 ALDプロセスの原理と歴史的展開
  3.3 ALDプロセスの特徴と応用・発展
  3.4 ALEt プロセスの原理と特徴 

第2部 ALD/CVD 反応機構と速度論 
1.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
  1.1 CVDプロセスの素課程
  1.2 CVDプロセスの速度論 
   1.2.1 製膜速度の温度依存性,表面反応律速と拡散律速
   1.2.2 製膜速度の濃度依存性,1次反応と
      ラングミュア・ ヒンシェルウッド型反応
  1.3 CVDプロセスの均一性
2.表面・気相の反応機構解析入門
  2.1 素反応機構と総括反応機構
  2.2 気相反応の第一原理計算と精度
  2.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析 
 
第3部 ALDプロセスの基礎と展開 
1.ALDプロセスの基礎
  1.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
  1.2 ALD プロセスの理想と現実
2.ALDプロセスの展開と応用
  2.1 ALDプロセスの応用用途
  2.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
  2.3 HW-ALDによる高品質Ni薄膜の合成
  2.4 ALD-Co(W)/CVD-Cu(Mn)による高信頼性ULSI配線形成 
まとめ <質疑応答> 
※プログラムは若干変更になる可能性がございます。ご了承下さい。 

キーワード
ALD,原子層堆積法,Atomic Layer Deposition,薄膜,オンライン
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