半導体（ドライ／ウェット）エッチングの基礎とプロセス制御・最新技術【LIVE配信】

1. 半導体デバイスのトレンド／構造／製造プロセス
　1-1 半導体デバイスのトレンド
　　1-1-1 ロジックデバイス
　　1-1-2メモリーデバイス
　　1-1-3 光デバイス
　1-2 半導体デバイスの構造
　　1-2-1 ロジックデバイス
　　1-2-2 メモリーデバイス
　　1-2-3 光デバイス
　1-3 半導体デバイスの製造プロセス
　　1-3-1 半導体レーザ
　　1-3-2 CMOSトランジスタ
2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
　2-1 エッチングプロセスの種類
　2-2 エッチングにおけるプロセス制御
　　2-2-1 高アスペクト比エッチング
　　2-2-2 難エッチング材のエッチング
　　2-2-3 高選択比エッチング
　2-3 エッチングプロセスの課題
　　2-3-1 3D-NANDエッチングの課題
　　2-3-2 ナノワイヤFETエッチングの課題
　　2-3-3 光デバイスエッチングの課題
3. ドライエッチングの基礎及びプロセス技術
　3-1 ドライエッチング装置の種類及び特徴
　3-2 ドライエッチングの原理
　3-3 ドライエッチングにおけるプロセス制御
　　3-3-1 エッチング反応
　　3-3-2 エッチング速度
　　3-3-3 エッチング選択比
　　3-3-4 エッチング形状
　3-4 ドライエッチング損傷
　　3-4-1 損傷のメカニズム
　　3-4-2 損傷の評価法
　　3-4-3 損傷の低減策
　　3-4-4 ドライエッチングとウェットエッチングの損傷比較
　3-5 各種材料のドライエッチング及びプロセス制御
　　3-5-1 Si
　　3-5-2 SiO2
　　3-5-3 Si3N4
　　3-5-4 GaAs
　　3-5-5 InP
　　3-5-6 GaN
4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
　4-1 ウェットエッチングの原理
　　4-1-1 エッチング液の構成と化学反応
　　4-1-2 酸化剤および標準酸化還元電位
　　4-1-3 エッチング液に用いられる各種試薬
　4-2 ウェットエッチングの律速過程
　　4-2-1 反応律速と拡散律速
　　4-2-2 半導体結晶構造と面方位依存性
　4-3 ウェットエッチングにおけるプロセス制御
　　4-3-1 エッチング反応
　　4-3-2 エッチング速度
　　4-3-3 エッチング選択比
　　4-3-4 エッチング形状
　4-4 各種半導体のウェットエッチング及びプロセス制御
　　4-4-1 Si
　　4-4-2 SiO2
　　4-4-3 Si3N4
　　4-4-4 GaAs
　　4-4-5 InP
　　4-4-6 GaN
5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
　5-1 原子層プロセス技術のトレンド
　5-2 原子層エッチングの基礎
　5-3 等方性原子層エッチングの各種手法
　　5-3-1 有機金属錯体反応
　　5-3-2 プラズマアシスト熱サイクル
　5-4 異方性原子層エッチングの各種手法
　　5-4-1 ハロゲンとイオン照射
　　5-4-2 フルオロカーボンアシスト
6. 実プロセスにおけるトラブル事例と対策
　6-1 半導体レーザのエッチング工程における凹凸発生
7. 今後の課題
【質疑応答】