１．基盤技術
1-1.真空の基礎
1-2.スパッタリング放電の基礎
２．スパッタリング薄膜堆積プロセスの基礎
2-1.スパッタリングとは
2-2.スパッタリング率
2.3スパッタリング粒子の持つエネルギー・サーマライゼーションと非平衡性
３．スパッタリング法により堆積された薄膜構造の特徴
3-1.スパッタリングされた粒子の持つエネルギーの膜構造への影響
3-2.基板温度・放電圧力の膜構造への影響
3-3.スパッタリング法の非平衡性とその薄膜物性への影響
４．各種スパッタリング法
4-1.直流スパッタリング法
4-2.高周波スパッタリング法
4-3.イオンビームスパッタリング法
4-4.反応性スパッタリング法
4-4-1.反応性スパッタリング法と非反応性スパッタリング法
4-4-2.化合物モードと金属モード
4-4-3.化合物薄膜堆積における薄膜堆積速度の向上
4-4-4.化合物薄膜堆積における負イオンの影響
５．弱点を克服したスパッタリング法
5-1.パルススパッタリング法とACスパッタリング法
5-2.ハイパワーパルススパッタリング法
5-3.イオン化スパッタリング法
5-4.分離スパッタリング法
６．スパッタリングターゲット
6-1.スパッタリングターゲットの役割
6-2.スパッタリングターゲットに求められる品質
6-3.ターゲット品質の薄膜物性および再現性への影響
6-4.ターゲット組成と薄膜組成
７．薄膜における内部応力
7-1.内部応力とは
7-2.内部応力の種類と発生機構
7-3.内部応力の評価方法
7-4.薄膜の構造と内部応力
7-5.内部応力評価の実例
7-6.応力の抑制方法
８．薄膜の付着力とは
8-1.付着の分類とメカニズム
8-2.付着力と応力－力がかからなければ薄膜ははがれない－
8-3.付着力の評価方法
8-4.付着力評価の例
8-5.付着力の向上手法
8-6.基板硬さと付着力の関係
９．スパッタリングプロセスのさらなる安定化を目指して
9-1.チャンバー内の状態がプラズマの安定性に与える影響
9-2.チャンバー内の状態が薄膜物性に与える影響
9-3.ターゲットの状態がプラズマおよび薄膜物性に与える影響
9-4.パッシブ制御から予知制御へ
１０．まとめ