1. ホーム
  2. セミナー
  3. ALD (原子層堆積法) の基礎と高品質膜化および最新動向【LIVE配信】

ALD (原子層堆積法) の基礎と高品質膜化および最新動向【LIVE配信】

※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
5/26⇒8/22に延期となりました。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
ALD【WEBセミナー】
セミナーNo.
2305111
開催日時
2023年08月22日（火） 10:30～16:30
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
価格
非会員：  55,000円 （本体価格：50,000円）
会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
学生：  55,000円 （本体価格：50,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から
★1名で申込の場合、49,500円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円（2人目無料）です。
★3名以上同時申込は1名につき27,500円（税込）です。
会員登録とは？⇒よくある質問
定員
30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
資料付き【郵送します⇒PDFに変更いたします】

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントを
　　ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
　　ついてはこちらをご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
　　10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
　　ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
　無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
CVD/ALDに関連する技術者
習得できる知識
・CVD/ALD法の基礎
・CVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
・CVD/ALD薄膜形成プロセスの解析能力
趣旨
Atomic Layer Deposition (ALD、原子層堆積法) による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition (CVD、気相薄膜形成法) と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
　このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
プログラム

第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
　1.1 薄膜の種類と用途
　1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
　1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
　1.4 PVDとCVD、ALD
２．真空の基礎知識
　2.1 真空度とは
　2.2 平均自由行程とクヌッセン数
　2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
　3.1 真空蒸着の基礎
　3.2 スパッタリング
第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
　4.1 CVDプロセスの素過程
　4.2 CVDプロセスの速度論
　　4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
　　4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
　4.3 CVDプロセスの均一性
５．表面・気相の反応機構解析入門
　5.1 素反応機構と総括反応機構
　5.2 気相反応の第一原理計算と精度
　5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
　6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
　6.2 ALDプロセスの理想と現実
　　6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
　　6.2.2 ALDプロセスの均一性
　　6.2.3 ALDプロセスの量産性
７．ALDプロセスの応用と展開
　7.1 ALDプロセスの応用用途
　7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
　　7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
　　7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
　7.3 新しいALD技術
　　7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
　　7.3.2 Spatial ALD
　　7.4 ALD国際会議について

キーワード
ALD,原子層堆積法,Atomic Layer Deposition,WEB,オンライン
関連するセミナー
関連する書籍
関連するタグ
フリーワード検索
カテゴリ別検索
カテゴリ別検索