半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介します！
１． はじめに
1-1. 半導体基板と半導体デバイス
1-2. Siウエハとは
1-3. 半導体デバイスの性能に影響を与える基板表面の諸特性
（１） 代表的な三つの汚染（微粒子、金属、有機物）
（２） 表面マイクロラフネス
（３） その他
1-4. 我が国における半導体業界の動向について
２． 半導体表面におけるウェットプロセス
2-1. Si表面の研磨技術（Chemical Mechanical Polishing（CMP））
2-2. Si表面の洗浄技術
（１） ウェット洗浄とドライ洗浄
（２） RCA洗浄
（３） 洗浄液による汚染除去のメカニズム
（４） RCA洗浄からの脱却を目指す新ウェット洗浄の開発状況
2-3. クリーンルーム技術
2-4. 多様な半導体材料と諸特性
３． ウェットプロセスを経た半導体表面の分析・評価法の基礎
3-1. 表面汚染を検出するための高感度表面分析法
3-2. 表面形状を観察するための測定技術（光干渉法）
3-3. ナノスケール領域の表面構造に関する評価技術
（１） 走査型プローブ顕微鏡
（２） 赤外吸収分光法
3-4. 半導体表面上の薄膜評価技術
（１） X線光電子分光法
（２） 表面濡れ特性
４． H終端化Si表面の原子構造制御
4-1. Si表面の面方位と原子構造
4-2. フッ酸浸漬後のH終端化Si(111)表面の原子構造
4-3. フッ酸浸漬後のH終端化Si(100)表面の原子構造
4-4. 超純水リンスがH終端化Si(100)表面の原子構造に与える影響
4-5. ウェットプロセスによるSi(110)表面の原子構造制御
５． 触媒アシストエッチングによる半導体表面のマイクロ・ナノ加工
5-1. 半導体プロセスにおける微細加工
（１） ドライエッチング
（２） ウェットエッチング
5-2. 触媒アシストエッチングとは
（１） 金属を触媒とした“金属アシストエッチング”の歴史
（２） 他のエッチング法との比較
（３） Si表面における金属アシストエッチングの基本原理
（４） 金属アシストエッチングで実現できる表面ナノ構造の例
5-3. 金属アシストエッチングのアプリケーション
（１） Si以外の半導体基板を用いた実施例
（２） X線用光学素子の作製
（３） Siウエハ切断プロセス
（４） ブラックシリコン表面の形成
（５） 超撥水Si表面の形成
６． 先端研究事例の紹介
【質疑応答・名刺交換】