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大阪大学 エマージングサイエンスデザインR3センター
特任教授 理学博士・Ph.D. 浜口 智志 氏
【略歴】
1982年 東京大学理学部物理学科卒業
1987年 同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年 ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年 テキサス大学物理学科核融合研究所・研究員
1990年-1998年 IBM ワトソン研究所・主任研究員
1998年-2004年 京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-2025年 大阪大学工学研究科・教授
2025年-現在 大阪大学エマージングサイエンスデザインR3センター・特任教授
【学会活動等】
国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長(2019-2021)、Journal of Plasma Medicine 編集委員長(2019-現在)、プラズマ医療国際学会(IPMS)会長(2015-2016)、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)分科会長(2014)等歴任: 米国物理学会(APS)フェロー、米国真空学会(AVS)フェロー、応用物理学会(JSAP)フェロー
非会員:
55,000円
(本体価格:50,000円)
会員:
44,000円
(本体価格:40,000円)
学生:
55,000円
(本体価格:50,000円)
会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。
・1名申込の場合、55,000円(税込)→44,000円(税込)
・2名同時申込の場合、合計110,000円(税込)→合計55,000円(税込)
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よくある質問
本セミナーは、約4時間15分の講演を収録したアーカイブ配信セミナーです。
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・半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方
(初心者から中級者まで)
・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)の特徴と応用
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング(RIE)から、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置
a.容量結合型プラズマ(CCP)装置
b.誘導結合型プラズマ(ICP)装置
4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
a.プラズマ表面相互作用
b.表面帯電効果
c.シリコン系材料エッチング反応機構
d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
e.高アスペクト比(HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
a.熱ALD
b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
a.PA-ALE
b.熱ALE:リガンド交換
c.熱ALE:金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
9.まとめ
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