ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策とノウハウ【LIVE配信】

１．ウェットエッチングの基礎
　　1-1　加工技術としての位置づけ
　　　1-1-1　産業応用（半導体、液晶、プリント基板、５G応用、ゲノム）
　　　1-1-2　設計値とシフト量（アンダーカット）
　　1-2　基本プロセスフロー（前処理、マスク作製、エッチング、マスク除去）
　　1-3　プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度）
　　1-4　エッチング機構
　　　1-4-1　超純水（機能水、帯電防止、酸化防止、水素水）
　　　1-4-2　エッチング液（被加工膜対応、界面活性剤）
　　　1-4-3　電位-ｐH図（プールベイ図）
　　　1-4-2　等方性エッチング（エッチファクター、Si、Cu、Al）
　　　1-4-3　結晶異方性エッチング（結晶方位依存性、Si単結晶）
　　1-5　エッチングマスク
　　　1-5-1　マスク剤の選定（レジスト膜、無機膜）
　　　1-5-2　マスク剤の最適化（マスク形成と高精度化）
　　　1-5-3　マスクの形状劣化（熱だれ、転写特性）
　　　1-5-4　マスク内の応力分布と付着強度（応力集中と緩和理論）
　　　1-5-5　エッチング液の浸透（CLSM解析）
　　1-6　被加工表面の最適化（表面被膜、汚染、欠陥の影響）
　　　1-6-1　被加工膜の材質依存性（不働態膜、WBL、CH系汚染）
　　　1-6-2　表面汚染（大気中酸化、液中酸化）
　　　1-6-3　表面前処理（疎水化および親水化）
　　1-7　処理装置
　　　1-7-1　液循環
　　　1-7-2　ディップ
　　　1-7-3　シャワー
　　　1-7-4　スピンエッチ
　　　1-7-5　フィルタリング
２．アンダーカット形状の最適化
　　2-1　支配要因
　　　2-1-1　界面濡れ性
　　　2-2-2　応力集中
　　　2-2-3　液循環
　　　2-2-4　マスク耐性
　　2-2　形状コントロール（エッチングラインの高精度化）
　　2-3　高精度形状計測
　　　2-3-1　断面SEM
　　　2-3-2　定在波法
　　　2-3-3　光干渉法
　　　2-3-4　X線CT
３．トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
　　3-1　マスクパターンの剥離メカニズム
　　　3-1-1　付着・ぬれエネルギーWa（ドライ中）
　　　3-1-2　拡張・浸透エネルギーS（ウェット中）
　　　3-1-3　円モデル
　　3-2　エッチング液の濡れ不良（ピンニング不良）
　　3-3　エッチング開始点の遅れ（コンタクトラインのVF変形）
　　3-4　ホールパターンの気泡詰まり（界面活性剤）
　　3-5　エッチング表面の荒れ（気泡、異物）
　　3-6　金属汚染（RCA洗浄）
　　3-7　レジスト除去
　　　3-7-1　ウェット方式
　　　3-7-2　ドライ方式
　　　3-7-3　物理除去
　　3.8　再付着防止
　　　3-8-1　DLVO理論
　　　3-8-2　ゼータ電位
　　3.9　乾燥痕
　　　3-9-1　マランゴニー対流
　　　3-9-2　IPA蒸気乾燥
４．環境対策
　　4-1　廃液処理
　　4-2　排ガス・ミスト処理
５．質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）

参考資料
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）