2026年07月13日（月）
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（国研）量子科学技術研究開発機構
高崎量子技術基盤研究所 プロジェクトリーダー（上席研究員） 博士（工学） 山本 洋揮 氏
【ご専門】
ビーム応用、微細加工（レジスト）、EUVリソグラフィ、高分子、放射線化学
【ご経歴等】
2008年
大阪大学大学院工学研究科 博士後期課程 修了
2008年
大阪大学 産業科学研究所 特任助教（常勤）
2011年
大阪大学 産業科学研究所 助教
2018年1月
（国研）量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門
先端機能材料研究部 主任研究員
2018年7月
（国研）量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門
高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部、定年制職員、主幹研究員
2019年4月
（国研）量子科学技術研究開発機構 量子ビーム科学研究部門
高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部、プロジェクトEUV超微細加工材料
プロジェクトチーフ
2022年4月
（国研）量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所
量子機能創製研究センター、量子材料超微細加工プロジェクト研究
プロジェクトチーフ
2025年7月
（国研）量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所
先端機能材料研究部、プロジェクト量子材料超微細加工研究
プロジェクトリーダー（上席研究員）
高分子学会 印刷・情報・電子用材料研究会 運営委員
ラドテック研究会 運営委員
MNC 2025 運営委員
放射線化学討論会 執行役員 （国際連携）
大阪大学産業科学研究所 招聘教授
群馬大学理工学府 講師（客員教授）
非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
46,200円
（本体価格：42,000円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
・1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、
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24,750円）（税込）です。
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30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、
こちらからミーティング用Zoomクライアントを
ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）
セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
ついては
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３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
ください。
・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
本テーマに関心のあるレジスト会社をはじめ、電機メーカーや大手化学会社や素材メーカーの方、本テーマに携わっている若手・中堅技術者、および新人の方
特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
・EUVリソグラフィについて
・レジスト材料開発
・メタルレジストについて
・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
・次世代リソグラフィの技術動向
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NA EUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が注目されている。
本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、EUVレジスト・リソグラフィの基礎とプロセス最適化・最新開発動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。
１．はじめに
1.1 リソグラフィ技術の変遷
1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
1.4 次世代リソグラフィ技術の動向
２．EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
2.1 電子ビームリソグラフィの位置づけ
2.2 電子ビームの散乱と阻止能
2.3 電子線レジスト
2.3.1 電子線レジストの種類
2.3.2 化学増幅型レジストの酸発生機構
2.3.3 ラインエッジラフネス（LER）の原因の解明
2.3.4 反応機構に基づいたEBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト
３．EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
3.1 EUVリソグラフィの基礎
3.2 EUVリソグラフィの現状と課題
3.3 EUVレジスト
3.3.1 EUVレジストの種類
3.3.2 EUVリソグラフィ用レジスト材料の要求特性
3.3.3 EUV化学増幅型レジストの反応機構とEBレジスト設計指針との違い
3.3.4 EUV化学増幅型レジストの問題点
3.4 EUVメタルレジスト開発
3.4.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
3.4.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた
有機無機ハイブリッドパターン形成
3.4.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
3.4.4 メタルレジスト材料の性能評価
3.4.5 セラミックスレジストの性能評価
3.5 次世代EUVリソグラフィ（High-NA、Hyper NA,EUV-FEL、Beyond EUV）
の技術動向と今後の展望
４．ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
4.1 ブロック共重合体の基礎
4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価
５．おわりに
【質疑応答】
EUV,レジスト,リソグラフィ,メタルレジスト,半導体,微細加工,セミナー,講演,研修
