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SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望

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セミナー概要

略称
SiCパワーデバイス
セミナーNo.
cmc180408  
開催日時
2018年04月25日(水)13:30~16:30
主催
(株)シーエムシー・リサーチ
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
ちよだプラットフォームスクウェア(本館) 5F 503
価格
非会員: 48,000円(税込)
会員: 44,000円(税込)
学生: 48,000円(税込)
価格関連備考
48,000円(税込)※ 資料代含
※会員価格は 44,000円(税込)
★【会員特典】2 名以上同時申込で申込者全員会員登録をしていただいた場合、2人目以降は会員価格の半額です。

講座の内容

受講対象・レベル
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
習得できる知識
SiCパワーデバイスの特長と課題。
過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術。
SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
趣旨
 本講座では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2017年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。SiCパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
プログラム
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か

2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1 IGBT開発のポイント
 2-2 IGBT特性向上への挑戦
 2-3 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2-4 IGBT特性改善を支える技術
 2-5 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
 2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-2 SiCのSiに対する利点
 3-3 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-4 SiCウェハができるまで
 3-5 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
 3-6 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
 3-7 SiCのデバイスプロセス
 3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-9 最新SiCトレンチMOSFET

4.高温対応実装技術
 4-1 高温動作ができると何がいいのか
 4-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 4-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

5.まとめ 

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