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マイクロLEDの研究開発の最前線と市場

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セミナー概要
略称
マイクロLED
セミナーNo.
cmc190203
開催日時
2019年02月14日（木） 13:30～16:30
主催
（株）シーエムシー・リサーチ
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
ちよだプラットフォームスクウェア　5F 会議室503
価格
非会員：  48,888円 （本体価格：44,444円）
会員：  43,797円 （本体価格：39,815円）
学生：  48,888円 （本体価格：44,444円）
価格関連備考
1名につき48,000円（税込）※資料代含
メール会員登録者は43,000円（税込）

★ 【メルマガ会員特典】2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2人目は無料です（1名価格で2名まで参加可能）。また、3名目以降はメルマガ価格の半額です。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体発光デバイス、結晶成長、ディスプレイ基礎技術の開拓者。マイクロLED技術に興味を持つ企業の技術者、半導体やpc接合の物理に関して、基礎的な素養を有する方
習得できる知識
InGaN系発光デバイスの課題、ナノ結晶効果(課題解決への期待)、ナノ構造デバイス、ナノ結晶の成長制御、赤・緑・青色集積型LED、ナノコラムフォトニック結晶効果と面発光型レーザ、マイクロLEDディスプレイ結晶、窒化物LEDを用いてマイクロLEDディスプレイを実現するための現時点における技術的問題点、その解決策の一例としてのスパッタ成膜技術、今後の業界展望など
趣旨
　台湾はLED製造の技術力で世界を牽引している。液晶では中国に追い越され、有機ELでは韓国に先行を許した。そこで、台湾の中にLED製造の基盤が揃っている強みを生かし、逆転の秘策として“マイクロLED”に注力している。
　本セミナーでは、マイクロLEDの技術・業界を理解するために、ミニ＆マイクロLEDの市場、及び業界動向、さらに、GaN LED素子のマイクロLEDの可能性として、二人の研究者にモノリシック集積化や大面積フレキシブルマイクロLED作製の可能性について解説してもらう。
プログラム

第1部　ミニ＆マイクロLED の市場・業界動向

1　世界のミニ＆マイクロLEDの動向
　1.1　台湾
　1.2　中国
　1.3　韓国
　1.4　日本
　1.5　北米
　1.6　欧州

2　マイクロLEDディスプレイ
　2.1　概要
　2.2　業界動向
　2.3　市場動向
　2.4　用途別

3　ミニLED
　3.1　概要
　3.2　業界動向
　3.3　台湾におけるミニLED業界の動向
　3.4　中国におけるミニLED業界の動向
　3.5　ミニLED の市場動向
　3.6　ミニLED の製造コスト

4　マストランスファー
　4.1　概要
　4.2　開発中のマストランスファー
　4.3　マストランスファーのコスト分析
　4.4　マストランスファー工程の課題
　4.5　マストランスファー工程に求められる機能

第2部　GaNナノコラム発光デバイス

　一次元GaN ナノ結晶(ナノコラム)は、InGaN 系可視域発光デバイスの高機能化、高性能化への期待から世界的に研究されている。ナノコラム研究の最前線を詳解しつつ、ディスプレイ用発光デバイスとしての魅力を述べる。ナノコラムによれば、三原色LEDのモノリシック集積化が可能となり、二次元配列化はマイクロLEDディスプレイへの道を拓きうる。ナノコラムフォトニック結晶レーザとしても動作し、配列制御はスペックル抑制に寄与しうる。
1　GaN 系半導体光デバイスフロンティアと課題

2　一次元ナノ結晶(ナノコラム)の期待

3　ナノコラム研究史

4　GaN ナノコラムの規則配列化

5　ナノコラムによるナノ結晶効果

6　緑～赤色マイクロナノコラムLED

7　モノリシック集積型ナノコラムLED

8　ナノコラムLED のフリップチップ化

9　ナノインプリントによる大面積化

10　高放射ビーム指向性ナノコラムLED

11　ナノコラムフォトニック結晶とレーザ

12　スペックルフリーレーザへの期待

13　まとめ
 

第3部　フレキシブルマイクロLEDの可能性

　マイクロLEDは有機ELのディスプレーを置き換える次世代表示素子技術として大きな注目を集めている。マイクロLEDディスプレーを実用化するためには、安価な大面積基板上にGaN-LED アレイを作製する技術を開発する必要があるが、本セミナーではスパッタリングによる窒化ガリウム成長技術を用いた大面積フレキシブルマイクロLED作製の可能性について、この分野に関する専門知識のない技術者にもわかるように平易に解説する。
1　開発の背景
　1.1　表示素子の技術的流れ
　1.2　マイクロLEDの重要性
　1.3　マイクロLED製造の技術的問題点
　1.4　スパッタGaN成長技術の利点

2　スパッタ法によるGaNの成長技術
　2.1　スパッタGaN薄膜の構造的特徴
　2.2　スパッタGaN薄膜の電気的特徴
　2.3　スパッタGaN薄膜の光学的特徴

3　スパッタ法を用いて試作したGaN素子の特性
　3.1　スパッタGaN LED素子の特性
　3.2　スパッタGaN HEMT素子の特性
　3.3　スパッタGaN MISFET素子の特性
　3.4　スパッタGaNパワー素子の特性
　3.5　スパッタGaN受光素子の特性

4　スパッタ法を用いて低価格基板上に試作したGaN素子の特性
　4.1　GaN成長用低価格基板
　4.2　金属フォイル上に作製したGaN LED素子
　4.3　ガラス基板上に作製したGaN LED素子
　4.4　ポリマーフィルム上に作製したGaN素子

 

スケジュール
13：30～14：00　第1部
14；00～15：10　第2部
15：20～16：30　第3部
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