2020年01月21日（火）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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52,800円
（本体価格：48,000円）
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CVD/ALD法を基礎から学びたい研究者・技術者、エッチングへの応用としてのALEtに興味のある、研究者・技術者
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・前記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
・解析能力・エッチングへの応用としてALEt
Atomic Layer Deposition（ALD、原子層堆積法）による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition（CVD、気相薄膜形成法）と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
このため、本講座では、第1部で各種の薄膜作成の基礎を概説、第2部でALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、第3部ではALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
第1部 薄膜作成の基礎
1 薄膜作製プロセス概論
1.1 薄膜の種類と用途:ULSI,MEMS,太陽電池,LED/LD
1.2 ウェットプロセスとドライプロセス,PVDとCVD
1.3 CVDプロセスの特徴
1.4 半導体デバイス,高集積化・微細化とALD技術
2 真空の基礎知識と薄膜形成の基礎
2.1 真空蒸着
2.2 真空度・真空の質,平均自由行程
2.3 各種PVD技術
3 CVD/ALDプロセス概論
3.1 CVDプロセスの原理と特徴,応用例
3.2 ALDプロセスの原理と歴史的展開
3.3 ALDプロセスの特徴と応用・発展
3.4 ALEtプロセスの原理と特徴
第2部 ALD/CVD反応機構と速度論
1 ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
1.1 CVDプロセスの素課程
1.2 CVDプロセスの速度論
1.2.1 製膜速度の温度依存性,表面反応律速と拡散律速
1.2.2 製膜速度の濃度依存性,1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
1.3 CVDプロセスの均一性
2 表面・気相の反応機構解析入門
2.1 素反応機構と総括反応機構
2.2 気相反応の第一原理計算と精度
2.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
第3部 ALDプロセスの基礎と展開
1 ALDプロセスの基礎
1.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
1.2 ALDプロセスの理想と現実
2 ALDプロセスの展開と応用
2.1 ALDプロセスの応用用途
2.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
2.3 HW-ALDによる高品質Ni薄膜の合成
2.4 ALD-Co(W)/CVD-Cu(Mn)による高信頼性ULSI配線形成
まとめ ＜質疑応答＞
※プログラムは若干変更になる可能性があります。ご了承下さい。
