【第1部】「パワーデバイスの開発動向」
（10：00～11：25）
１．パワーエレクトロニクス、パワーデバイスとは
1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの世界市場
1-3 パワー半導体の種類と基本構造
1-4 パワーデバイスの適用分野
２．最新シリコンIGBTの現状
2-1 IGBT特性改善を支える技術
2-2 最先端IGBTの開発
2-3 逆導通IGBT(RC-IGBT）の開発
2-4 進展するIGBTの大口径化
2-5 IGBT最新実装技術
３．最新SiC-MOSFET の 現状と課題
3-1 SiCのSiに対する利点
3-2 SiC-MOSFETの解決すべき課題
3-3 ゲート酸化膜の形成方法
3-4 SiC-MOSFETの技術の進展（微細化）
3-5 最新SiCトレンチMOSFET
3-6 内蔵ダイオード信頼性対策技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイスの構造
4-2 GaN-HEMTデバイスの特徴
4-3 GaN-HEMTのノーマリーオフ化
4-4 GaN-HEMTの課題
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
５．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
６．まとめ
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【第2部】「パワーモジュール向けセラミック基板の開発動向」
（11：35～12：35）
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【第3部】「パワーデバイス向け低温焼結性銅ナノ粒子の開発動向」
（13：15～15：05）
本講義では、まず、如何にすれば機能性無機ナノ粒子をサイズ・形態制御しつつ精密に合成できるか、その方法やコツを理解していただきます。ついで、その具体的な手法について紹介することで、無機ナノ粒子の液相合成法や解析法を学んでいただきます。さらに無機ナノ粒子の液相合成法を、低温焼結性を有する銅ナノ粒子の合成法へ適用した例について紹介します。得られた銅ナノインクは、配線材料およびダイアタッチ材料として優れた性質を示します。一方で、無機ナノインクの現在までの進展を紹介することで、常圧でのデバイス製造に向けたナノインクの実力および可能性について学んでいただきます。
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【第4部】「高熱伝導コンポジット材料の開発動向」
（15：15～16：40）