優れた材料物性から「究極の半導体材料」と称されるダイヤモンド。
その物性や可能性、成長技術や研磨などのダイヤモンドウェハの製造技術、各デバイス応用、実用化への課題・展望などについて解説します。

ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発動向と課題・展望【WEBセミナー】
ダイヤモンドの物性・ポテンシャル、ダイヤモンドウェハの製造技術、
トランジスタ・ダイオードおよびその他デバイスへの応用など。

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セミナー概要
略称
ダイヤモンド半導体【WEBセミナー】
セミナーNo.
st240921
開催日時
2024年09月27日(金) 13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
価格
非会員: 37,400円(税込)
会員: 35,640円(税込)
学生: 37,400円(税込)
価格関連備考
定 価 :1名につき 37,400円(税込)
会員価格:1名につき 35,640円 2名の場合 49,500円、3名の場合 74,250円(税込)

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※他の割引は併用できません。
※セミナー請求書は代表者のメールアドレスにPDFデータを添付しお送りいたします。
備考
※資料付
※講義中の録画・録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

【ライブ配信(Zoom使用)セミナー】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
講座の内容
受講対象・レベル
・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方
・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方
習得できる知識
・ダイヤモンドの物性
・ダイヤモンド半導体研究の歴史
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題
趣旨
 ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。 
 本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果(例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等)を中心に解説します。
プログラム

1.はじめに
 1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
 1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史 

2.ダイヤモンドウェハ製造技術
 2.1 成長技術(高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD)
 2.2 不純物ドーピング技術
 2.3 スライス・カット技術
 2.4 研磨技術
 
3.ダイヤモンドダイオード

 3.1 ショットキーバリアダイオード
 3.2 PN接合ダイオード
 3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)
 
4.ダイヤモンドトランジスタ

 4.1 MESFET
 4.2 JFET
 4.3 BJT
 4.4 MOSFET
 
5.その他のダイヤモンド半導体のデバイス応用

 5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
 5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
 5.3 ダイヤモンド電気化学電極
 
6.まとめと今後の展開

 □ 質疑応答 □

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