優れた材料物性から「究極の半導体材料」と称されるダイヤモンド。
その物性や可能性、成長技術や研磨などのダイヤモンドウェハの製造技術、各デバイス応用、実用化への課題・展望などについて解説します。
1.はじめに
1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史
2.ダイヤモンドウェハ製造技術
2.1 成長技術(高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD)
2.2 不純物ドーピング技術
2.3 スライス・カット技術
2.4 研磨技術
3.ダイヤモンドダイオード
3.1 ショットキーバリアダイオード
3.2 PN接合ダイオード
3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)
4.ダイヤモンドトランジスタ
4.1 MESFET
4.2 JFET
4.3 BJT
4.4 MOSFET
5.その他のダイヤモンド半導体のデバイス応用
5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
5.3 ダイヤモンド電気化学電極
6.まとめと今後の展開
□ 質疑応答 □