光学検査・電子顕微鏡・走査プローブ顕微鏡の基本原理から、ウェハ欠陥検査、マスク検査、GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析など、最新の検査・解析技術までを解説します。
１．半導体プロセスと検査
1-1. 半導体集積回路のロードマップ
1-2. 半導体プロセスの基礎
1-3. 半導体プロセス中の検査の種類と用途
２．光学検査の基礎
2-1. 光学顕微鏡
2-2. レーザー顕微鏡
2-3. 白色干渉計
2-4. ウェハ欠陥検査装置
2-5. マスク検査装置
３．電子線検査の基礎
3-1. 走査型電子顕微鏡（SEM）
3-2. 透過型電子顕微鏡（TEM）
3-3. 走査透過型電子顕微鏡（STEM）
3-4. 電子エネルギー損失分光（EELS）
４．走査プローブ検査の基礎
4-1. 原子間力顕微鏡（AFM）
4-2. 走査型静電容量顕微鏡（SCM）
4-3. 走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）
4-4. ケルビンプローブフォース顕微鏡（KPFM）
５．最近の検査・解析技術の動向
5-1. 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
5-2. リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
5-3. ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
5-4. マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
5-5. 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析
６．将来展望とまとめ、Q&A
□質疑応答□