1. パワーエレクトロニクスとは？
1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
1-6 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2. 最新シリコンIGBTの進展
2-1 10年後のパワー半導体の市場予測
2-2 シリコンIGBTの今
2-3 最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT
2-4 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
2-5 IGBTの進展を支える実装技術の進展
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 SiCのシリコンに対する利点
3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか？
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
3-8 なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか？
3-9 SiC-MOSFET作成プロセス
3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
3-11 最新SiC-MOSFET開発動向
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか？
4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
4-4 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-5 Current Collapse現象メカニズム
4-6 最新GaN-HEMT開発動向
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムとその特徴
5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
6. 高温対応実装技術
6-1 高温動作ができると何がいいのか
6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か？
6-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
7. まとめ