1. パワーエレクトロニクス（パワエレ）、パワーデバイスとは何？
1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2. シリコンパワーデバイスの現状と課題
2-1 パワー半導体デバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
1) 低耐圧MOSFET
2) 高耐圧MOSFET
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT特性改善の次の一手
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している
理由
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各企業はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-6 SiC-MOSFETコストダウンのための技術開発
3-7 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-8 最新SiC-MOSFET低オン抵抗化技術
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNパワーデバイスの特徴はなにか？
4-2 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-3 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-4 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-6 最近のGaN-HEMTの進展
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムとその特徴
5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
6. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
6-3 接合材について
6-4 銀または銅焼結接合技術
6-5 SiC-MOSFETモジュール技術
7. まとめ