1. 半導体デバイスのトレンド／構造／製造プロセス
1-1 半導体デバイスのトレンド
1-1-1 ロジックデバイス
1-1-2メモリーデバイス
1-1-3 光デバイス
1-2 半導体デバイスの構造
1-2-1 ロジックデバイス
1-2-2 メモリーデバイス
1-2-3 光デバイス
1-3 半導体デバイスの製造プロセス
1-3-1 半導体レーザ
1-3-2 CMOSトランジスタ
2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
2-1 エッチングプロセスの種類
2-2 エッチングにおけるプロセス制御
2-2-1 高アスペクト比エッチング
2-2-2 難エッチング材のエッチング
2-2-3 高選択比エッチング
2-3 エッチングプロセスの課題
2-3-1 3D-NANDエッチングの課題
2-3-2 ナノワイヤFETエッチングの課題
2-3-3 光デバイスエッチングの課題
3. ドライエッチングの基礎及びプロセス技術
3-1 ドライエッチング装置の種類及び特徴
3-2 ドライエッチングの原理
3-3 ドライエッチングにおけるプロセス制御
3-3-1 エッチング反応
3-3-2 エッチング速度
3-3-3 エッチング選択比
3-3-4 エッチング形状
3-4 ドライマエッチング損傷
3-4-1 損傷のメカニズム
3-4-2 損傷の評価法
3-4-3 損傷の低減策
3-4-4 ドライエッチングとウェットエッチングの損傷比較
3-5 各種材料のドライエッチング及びプロセス制御
3-5-1 Si
3-5-2 SiO2
3-5-3 Si3N4
3-5-4 GaAs
3-5-5 InP
3-5-6 GaN
4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
4-1 ウェットエッチングの原理
4-1-1 エッチング液の構成と化学反応
4-1-2 酸化剤および標準酸化還元電位
4-1-3 エッチング液に用いられる各種試薬
4-2 ウェットエッチングの律速過程
4-2-1 反応律速と拡散律速
4-2-2 半導体結晶構造と面方位依存性
4-3 ウェットエッチングにおけるプロセス制御
4-3-1 エッチング反応
4-3-2 エッチング速度
4-3-3 エッチング選択比
4-3-4 エッチング形状
4-4 各種半導体のウェットエッチング及びプロセス制御
4-4-1 Si
4-4-2 SiO2
4-4-3 Si3N4
4-4-4 GaAs
4-4-5 InP
4-4-6 GaN
5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
5-1 原子層プロセス技術のトレンド
5-2 原子層エッチングの基礎
5-3 等方性原子層エッチングの各種手法
5-3-1 有機金属錯体反応
5-3-2 プラズマアシスト熱サイクル
5-4 異方性原子層エッチングの各種手法
5-4-1 ハロゲンとイオン照射
5-4-2 フルオロカーボンアシスト
6. 実プロセスにおけるトラブル事例と対策
6-1 半導体レーザのエッチング工程における凹凸発生
7. 今後の課題
【質疑応答・名刺交換】