※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
１．はじめに
1-1. 半導体機能素子を構成する薄膜技術：なぜ薄膜が必要なのか？
1-2. 薄膜とは？ 薄膜形成とドライプロセス
1-3. CVD･ALD の必要性
２． 化学反応速度論の基礎
2-1. 化学反応の考え方
(1) なぜ反応解析が必要か？ 律速過程制御の重要性
(2) 化学反応の進行 熱力学的概念（反応の方向）と反応速度論的概念（反応の速さ）
2-2 . 化学反応速度論
(1) 化学反応速度の定義と CVD 反応速度
(2) モル濃度と原料分圧
(3) 圧力とは？
(4) 大気圧，標準大気圧，標準圧力の定義
(5) 気体の流量とその制御技術
(6) 化学反応の反応次数
(7) 反応速度定数とアレニウスプロット（Arrhenius Plots）
(8) 活性化エネルギー（活性化エンタルピー）の求め方
(9) 本来のアレニウスプロット（Arrhenius Plots）と実務上のアレニウスプロット
３． CVD 反応の反応解析とプロセス制御
3-1. ＣＶＤ 反応の反応解析
(1) ＣＶＤ 系のアレニウスプロット（Arrhenius Plots）
(2) 律速過程の変化点
(3) 反応次数と表面反応の確認 ラングミュア（Langmuir）の脱吸着
3-2. CVD プロセス制御
(1) 希望する表面律速過程のプロセスウィンドウを広げる方法
(2) 良好なカバレッジや結晶特性を得るためには
(3) 応用例：コンタクトホール形成用ブランケット W-CVD プロセス
3-3. 表面反応モデル
(1) １種類原料の反応 一次の Langmuir 型機構
(2) １種類原料の反応 二次の Langmuir 型機構
(3) ２種類原料の反応 Langmuir-Hinshelwood 型機構
(4) ２種類原料の反応 Eley-Rideal 型機構
(5) 分子線エピタキシ（MBE）から学ぶ結晶成長メカニズム
４． ＣＶＤ 装置
4-1. 毎様式とバッチ式
4-2. ホットウォール型 CVD 装置
4-3. コールドウォール型 CVD 装置
５． プラズマ誘起 CVD 法
5-1. 励起状態を経由した化学反応
5-2. 真空と低温プラズマ
5-3. プラズマ誘起 CVD 装置
(1) 容量結合型プラズマ誘起 CVD 装置
(2) 誘導結合型プラズマ誘起 CVD 装置
5-4. 高周波（RF）伝送技術
5-5. セルフバイアスの発生メカニズム
5-6. 各種プラズマの反応性と応用
６． ALD （デジタル CVD）法
6-1. ＡＬＤの特徴と必要性
6-2. 最先端の最下層配線形成プロセス
6-3. 化学吸着と物理吸着
6-4. ALD 技術と装置の特徴
７． CVD 装置の構造と設計のコツ
7-1. 大気圧 CVD 装置
(1) 境膜の概念と影響
7-2. 減圧 CVD 装置
(1) 真空排気系と装置構成
(2) 共用配管とプロセスガスの導入系
(3) シャワーヘッドの設計
(4) 活性化エネルギーから基板ホルダの温度分布仕様の決定
(5) 原料分圧とクラウジウス－クラペイロンプロット（Clausius–Clapeyron Plots）
(6) 原料気化器の考え方
(7) クラウジウス－クラペイロンプロット（Clausius–Clapeyron Plots）を用いた CVD 装置の設計
８． 化学物質の危険性と安全対策
8-1. 「自律的な管理を基軸とした新たな化学物質管理」（2024 年法改正）の概略
8-2. 原料物質の危険性把握
8-3. 反応生成物の危険性把握
8-4. リスクアセスメント手法による安全設計手法
8-5. ガス漏洩検知器
8-6. 排気ガス処理装置
９． まとめ