ホーム > セミナー > 徹底解説 超精密研磨/CMPプロセス技術 基礎から応用に関する最新動向

半導体ウェハを製造する上で重要となるCMPプロセスについて徹底解説!
パワーデバイス用基板としてSiC、GaN、Diamondが脚光を浴びる難加工材料の最新加工技術についても詳しく紹介します

徹底解説 超精密研磨/CMPプロセス技術
基礎から応用に関する最新動向

〜先端パワーデバイス用SiC/GaN/ Diamond基板の難加工材料の最新加工技術を詳説〜

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セミナー概要

略称
超精密研磨/CMP
セミナーNo.
st191014  
開催日時
2019年10月31日(木)10:30~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 4F 第1特別講習室
価格
非会員: 49,500円(税込)
会員: 47,020円(税込)
学生: 49,500円(税込)
価格関連備考
49,500円 ( 会員受講料 47,020円 )
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,750円+税4,270円

【2名同時申込みで1名分無料!(1名あたり定価半額の24,750円)】
※2名様とも会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
備考
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
※技術コンサルタントの方や、講師業を本務としている方の受講はご遠慮いただいております。

講座の内容

受講対象・レベル
【1】 研磨・CMP技術を学びたい方、或いは 現在研究開発中の方、
【2】 これから研磨・CMPとその周辺技術でビジネスチャンスを捕えようとする方、
【3】 加工技術・プロセス技術分野で新しいビジネスを試みたい方、
【4】 半導体加工分野で新しい領域のシーズを探索されている方、
【5】 半導体領域で横のつながり、産学連携を望む方
                              などなど
習得できる知識
オプトメカトロニクス・半導体分野の超精密加工プロセス技術の基礎からデバイスへの応用技術
超精密加工技術の現状と将来加工技術の展望
趣旨
 近年では、多機能・高性能化を目指した新しいデバイスが次々と提案され、それと相まって、半導体Si以外の新たな材料が使用されるようになってきました。特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用サファイア、SiC、GaN, Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。これらの基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を理解しておくことが必要不可欠です。

 本セミナーでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について、門外不出のノウハウも含めて徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。
プログラム
Ⅰ 超精密加工技術の基礎 ~研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、基本的加工事例~
  1. 超精密研磨(ラッピング/ポリシング/CMP等)技術の位置づけ/必要性と適用例
  2. 基本的加工促進のメカニズムの理解
  3. 各種機能性材料の超精密ポリシング 〜コロイダルシリカ・ポリシングを含めて〜
 
Ⅱ 加工メカニズムから生まれた加工用パッドとスラリーの事例
  1. 硬軟質二層構造パッド ~高精度高品位化パッドの考案・試作~
  2. ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
  3. レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒 ~ガラスの研磨事例~
  4. スラリーのリサイクル技術 
          4-1. ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
    4-2. メタルCMP用スラリーのリサイクル技術 

Ⅲ 超LSIデバイス・多層配線用の平坦化(プラナリゼーション)CMP技術
  1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
  2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例 ~パッド・スラリーそして装置~
  3. パッドのドレッシング ~非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案~
  4. CMP用スラリーの設計とそのための特殊電気化学装置の試作・販売
  5. Siウェーハのナノトポグラフィ、他
 
Ⅳ 各種材料基板の高効率加工に向けて
  1. 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置 
         ~Si、SiO2、Cu、サファイア、SiCなどの加工事例~
    2. パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性 
                               
Ⅴ 革新的高能率・高品質加工プロセス技術 ~SiC・GaN/Diamond基板を対象として~
      1.超難加工基板加工へのブレークスルー(2つの考え方)
      2.加工条件改良型ブレークスルー
          ~ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例~
      3.挑戦型加工によるブレークスルー
        ~将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例~ Ⅵ  今後の展開 ~深化するAIと“シンギュラリティ(技術的特異点)”を見据えて~
     重要三大加工技術のキーワード
                  ・超精密CMP融合技術
      ・趙薄片化プロセス技術 
      ・大口径超精密ボンディング技術

  □質疑応答・名刺交換□

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