ホーム > セミナー > スパッタリング法による薄膜形成と内部応力抑制の勘どころ

スパッタリング法の基礎からトラブル対策まで包括的に解説!
内部応力・薄膜剥離の発生メカニズムや応力抑制のための技術とは・・・
薄膜の付着力の評価と向上技術についても詳説します

スパッタリング法による薄膜形成と内部応力抑制の勘どころ

※日程・会場(フロア)が変更になりました(6/1更新)
 ■日程:6月10日(水) → 8月31日(月)
 ■会場:きゅりあん 5F 第2講習室 → 6F 中会議室

セミナー概要

略称
スパッタリング
セミナーNo.
st200601  
開催日時
2020年08月31日(月)10:30~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 6F 中会議室
講師
金沢工業大学 バイオ・化学部 応用化学科 教授 博士(工学) 草野 英二 氏

略歴
平成7年4月 金沢工業大学工学部物質応用工学科助教授
平成13年4月 金沢工業大学工学部先端材料工学科教授 兼 高度材料科学研究開発センター教授
平成16年4月 金沢工業大学環境・建築学部バイオ化学科教授 兼 高度材料科学研究開発センター教授
平成18年4月 金沢工業大学環境・建築学部化学系主任教授 兼 高度材料科学研究開発センター教授
平成21年4月 学部・学科改組により,金沢工業大学バイオ・化学部応用化学科教授 兼 高度材料科学研究開発センター教授

専門
薄膜材料工学

著書
単著:
 森北出版 「はじめての薄膜作製技術 第二版」

編集および分担執筆:
 リアライズAT 「生産現場・開発現場において役立つ薄膜作製技術」

分担執筆:
 シーエムシー出版 「プラズマ・イオンビーム応用とナノテクノロジー」
 技術情報協会 「オプトエレクトロニクス分野を中心としたスパッタリング法による薄膜作製・制御技術」
 培風館 「図解」薄膜技術」
 コロナ社 「 ドライプロセスによる表面処理・薄膜形成の基礎」

活動
●日本真空学会理事(2007年~2012年)
●表面技術協会評議員(2007年~2014年)
●社団法人応用物理学会代議員(2004年~2005年)
●日本真空協会研究部会委員(2003年~2005年)
●日本真空協会関西支部幹事(2005年~2008年)
●日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会部会長(2004年~2009年)
●スパッタリングおよびプラズマプロセスに関する国際会議現地実行副委員長 (2007年開催)
●スパッタリングおよびプラズマプロセスに関する国際会議実行委員長 (2003年,1993年開催)
●社団法人日本ファインセラミックス協会 標準化委員会 薄膜物性  委員長(2003年~現在)
●財団法人日本規格協会「情報処理機器用ディスプレイの評価試験方法の標準化委員会」委員長(2004年~2006年)
●Thin Solid Films, Editorial Board Member(2004年~)
●International Union for Vacuum Science, Techniques, and Applications, Division of Plasma Science and Technology, Executive Committee Member(2010年~2013年)
●International Union for Vacuum Science, Techniques, and Applications, Division of surface engineering, Executive Committee Member(2013 年~2016年)
●International Union for Vacuum Science, Techniques, and Applications, International Vacuum Congress 2013・2016 Program Committee Member
価格
非会員: 49,500円(税込)
会員: 46,970円(税込)
学生: 49,500円(税込)
価格関連備考
49,500円 ( 会員受講料 46,970円 )
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,700円+税4,270円

【2名同時申込みで1名分無料!(1名あたり定価半額の24,750円)】
※2名様とも会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
備考
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

受講対象・レベル
スパッタリング法による薄膜堆積をデバイス生産に展開している企業の技術者
趣旨
 スパッタリング法は、工業的に広く使われている薄膜作製法である。スパッタリング法の特徴として、基板温度を上げることなく物性に優れた薄膜が得られるということが挙げられる。これは、スパッタリング法において、ターゲットから発生した粒子が大きなエネルギーを持つためである。しかしながら、同時にこのスパッタ粒子の高いエネルギーが、薄膜に大きな応力を残留させるという短所をも生じさせることになる。スパッタリング法により堆積された薄膜において問題となる薄膜剥離の多くは、この残留応力によるものである。応力の残留と、それにともなう薄膜の基板からの剥離はプロセスやデバイスの信頼性を保証する上での大きな問題であり、スパッタリング法による薄膜生産において必ず遭遇する問題であるともいえる。

 本講演では、スパッタリング法の技術基盤において,薄膜堆積機構と応力残留および付着力の向上との関連を理解した上で、生産あるいは技術開発の現場において遭遇する応力残留および薄膜の剥離を中心とするトラブルに対応する力を身につけていくことを目標とし、スパッタリングプロセスの特徴とスパッタリングプロセスにより得られる薄膜物性の特徴を解説する。生産あるいは技術開発の現場で活躍するエンジニアに必須の講義である。
プログラム
1. スパッタリング法の基礎
 1.1 スパッタリング現象
 1.2 スパッタリング率
 1.3 スパッタリングされた粒子の持つエネルギー
 1.4 サーマライゼーション(熱中性化)
 1.5 スパッタリングされた粒子のターゲットへの再堆積
 1.6 堆積された薄膜のエネルギー粒子による再スパッタリング

2. スパッタリング法により作製された薄膜の特徴
 2.1 スパッタリング薄膜構造モデルと粒子の持つエネルギーの膜構造への影響
 2.2 金属薄膜における基板温度・放電圧力の膜構造への影響
 2.3 酸化物薄膜における基板温度・放電圧力の膜構造への影響

3. 種々スパッタリング法の基本とその特徴
 3.1 直流マグネトロンスパッタリング法
 3.2 高周波マグネトロンスパッタリング法
 3.3 反応性スパッタリング法
 3.4 パルススパッタリング法

4. スパッタリング薄膜の内部応力
 4.1 内部応力とは
 4.2 内部応力の発生メカニズム
 4.3 内部応力の評価方法
 4.4 薄膜の構造と内部応力
 4.5 スパタリング薄膜と内部応力の実例
 4.6 応力の抑制手法

5. スパッタリング薄膜における膜剥がれと内部応力
 5.1 薄膜の付着力とは
 5.2 付着のメカニズム
 5.3 付着力と全応力
 5.4 スパッタリング薄膜のはく離の機構

6. スパッタリング薄膜における付着力の評価と向上
 6.1 薄膜の付着力の評価方法
 6.2 薄膜付着力の測定の実例
 6.3 基板硬さの付着力測定結果への影響
 6.4 付着力向上への指針

7. まとめ
 7.1 スパッタリングプロセスにおける粒子エネルギー,応力,および付着力
 7.2 参考となる書籍紹介

  □質疑応答・名刺交換□

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