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★プラズマ援用研磨法の原理からワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドの研磨事例まで短時間で学習できます！

プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術【アーカイブ配信】
－加工原理とSiC, GaN, ダイヤモンドの研磨事例－

こちらは11/15実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
プラズマ研磨【アーカイブ配信】
セミナーNo.
240974A
配信開始日
2024年11月18日（月）
配信終了日
2024年11月25日（月）
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  39,600円 （本体価格：36,000円）
学生：  49,500円 （本体価格：45,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　・1名で申込の場合、39,600円（税込）へ割引になります。
　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
会員登録とは？　⇒　よくある質問
備考
・こちらは11/15に実施したWEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

・配信開始日までに、セミナー資料はPDFでお送りします。セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

・動画のURLはメールでお送りします。
講座の内容
受講対象・レベル
・材料メーカー、パワーデバイスメーカー、ダイヤモンド成膜メーカー、工具メーカー
習得できる知識
・プラズマを用いた高能率ダメージフリー研磨技術
趣旨
　パワーデバイス用の単結晶SiC、GaN、ヒートスプレッダや耐摩耗性コーティング用のダイヤモンド等の硬脆機能材料の仕上げ加工には、無歪かつ高能率な研磨能力が要求されます。しかしながら、これらの難加工材料に対して従来の工具と材料の硬度差を利用する物理的な機械加工法を適用すると脆性破壊や塑性変形現象を利用するため、加工面には必然的にダメージが導入され、基板が本来有する優れた物理・化学的性質を維持できません。また、化学機械研磨（CMP）ではダメージは導入されないものの、研磨レートが低い、薬液を含むスラリーを用いるため環境負荷が大きい、といった問題を有します。
　これらの問題を解決するために、プラズマを用いて難加工材料の表面を改質し、軟質砥粒を用いて軟質な改質膜を除去するプラズマ援用研磨法（PAP: Plasma-assisted Polishing）が開発されました。本手法を適用するとワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドを極めて高能率かつダメージフリーに研磨でき、サブナノメータオーダの表面粗さが得られます。本セミナーでは、プラズマ援用研磨法の原理とその応用例を紹介します。
　
プログラム

1．プラズマ援用研磨（PAP）とは？
　1-1．プラズマ援用ナノ製造プロセスの必要性
　1-2．化学機械研磨（CMP）とPAPの比較
　1-3．プラズマ援用研磨のターゲット

2．加工原理
　2-1．プラズマ照射による表面改質効果
　2-2．単結晶SiCにおけるプラズマ酸化と熱酸化の比較
　2-3．プラズマ援用研磨の研磨メカニズムと研磨面の評価

3．研磨事例の紹介
　3-1．4H-SiC（0001）
　3-2．GaN（0001）
　3-3．反応焼結SiC
　3-4．AlN焼結基板
　3-5．単結晶ダイヤモンド
　3-6．多結晶ダイヤモンド

キーワード
プラズマ、援用、研磨、加工、半導体、ダイヤモンド、ワイドギャップ、パワーデバイス
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