最新ほとんど語られない先端半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策についても、多数の実例写真で紹介！
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
１．半導体クリーン化技術（シリコンウェーハ表面の汚染をいかに防止するか？）
1.1 クリーン化の目的（なぜクリーン化すべきか）
1.1.1 歩留の科学、歩留習熟曲線、歩留向上の実例
1.1.2 歩留低下要因－ランダム欠陥、システマテック欠陥
1.1.3 歩留予測－ポアソンモデルなどによる歩留予測曲線
1.1.4 最新動向：「チップレット」で歩留まり向上
1.2 クリーン化の対象（何をクリーン化すべきか？）
1.2.1 半導体微細化の年代推移
1.2.2 半導体製造におけるクリーンルーム空気清浄度の年代推移
1.2.3 ウェーハ搬送方式の年代推移
1.2.4 汚染発生源の年代推移
1.2.5 ミニエンバイロンメントの採用－SMIF、FOUP、完全自動化ラ
1.2.6 最新情報：クリーンルーム革命、もはやSCRは不要
1.2.7 クリーンルームではなく「ウェーハ表面のクリーン化」の重要性
1.2.8 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類の年代推移
1.2.9 ウェーハ表面汚染の種類とデバイス特性への影響
1.3 半導体表面クリーン化の手法（汚染をどのように防止すべきか？）
1.3.1 半導体製造におけるパーティクル汚染の実態
1.3.2 パーティクル汚染の低減防止策
1.3.3 半導体製造における金属汚染の実態
1.3.4 金属汚染の低減防止策
1.3.5 半導体製造における無機化学汚染の実態
1.3.6 無機化学汚染の低減防止策
1.3.7半導体製造における有機化学汚染の実態
1.3.8 有機化学低減防止策
1.4 半導体クリーン化技術まとめ
1.5 最先端の話題
1.5.1 超微細化にともなうナノパーティクル対策への挑戦
1.5.2 歩留まり向上のためのビッグデータ、AI、仮想計測の活用
２．半導体洗浄乾燥技術（シリコンウェーハ表面の汚染をいかに除去するか）
2.1 半導体製造における洗浄技術の重要性
2.1.1 半導体デバイス製造フロー、プロセスフローにおける洗浄の位置づけ
2.1.2 製造工程でパーティクル低減に向けたウェット洗浄の役割
2.2 表面汚染除去のメカニズム
2.2.1 パーティクル汚染除去のメカニズム
2.2.2 金属汚染除去のメカニズム
2.2.3 有機汚染除去のメカニズム
2.3 ウェーハ表面洗浄手法
2.3.1 ウェーハ表面洗浄の歴史
2.3.2 RCA洗浄とその代替・改良技術
2.3.3 浸漬式洗浄の問題点
2.3.4 枚葉スピン洗浄の利点
2.3.5 SCROD洗浄
2.3.6 最新情報：SCROD洗浄を応用した超微細加工デジタルエッチング
2.4 ウェーハ表面乾燥手法
2.4.1 ウェーハ乾燥方式の変遷
2.4.2 マランゴ二乾燥、ロタゴ二乾燥
2.4.3 ウオーターマーク発生とその対策
2.5 回路パターン付きウェーハ洗浄の現状と課題
2.5.1 トランジスタ形成工程の洗浄の現状と課題
2.5.2 多層配線工程の洗浄の現状と課題
2.6 ウェーハ大口径化に向けての洗浄の課題と展望
2.7 超微細構造の洗浄の課題と解決策
2.7.1 純水の問題点―絶縁性、ウオーターマーク、高誘電性、金属溶解など
2.7.2 水の表面張力による微細パターン倒壊の実態
2.7.3 洗浄時の物理力による微細パターン倒壊の実態
2.8 超微細構造にダメージを与えない洗浄・乾燥技術
2.8.1 二流体、メガソニックなどのダメジレスウェット洗浄
2.8.2 ＨＦべーパー、エアロゾル洗浄などのさまざまなドライクリーニング
2.8.3 超臨界流体洗浄・乾燥
2.8.4 究極の局所洗浄－レーザー、AFMプローブ、ナノピンセットなど
2.9 洗浄・乾燥技術のまとめ
2.10 最先端の話題
2.10.1 超微細化デバイスで採用される新材料新構造への洗浄技術の対応
2.10.2 洗浄・乾燥技術の最先端研究課題
2.10.3 半導体洗浄技術に関する２大国際会議紹介
2.10.4 最近の洗浄技術国際会議での最先端の話題