2025年10月22日（水）
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早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 博士（理学） 植田 研二 氏
【略歴】
・2000年3月 大阪大学理学研究科（博士課程後期）化学専攻修了、博士（理学）
・2000年4月～2001年1月 大阪大学産業科学研究所 博士研究員
・2001年2月～2009年3月 NTT物性科学基礎研究所 研究員
・2009年4月～2022年3月 名古屋大学工学研究科 准教授
（2011年3～8月 Neel Institute, CNRS, France, 客員研究員 兼務）
・2022年4月～ 現職
早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授
（2022年6月～2023年3月 名古屋大学工学研究科 客員教授 兼務）
【学協会での役職等】
・日本応用物理学会東海支部幹事 , 2014年4月 ～2022年3月
・日本磁気学会 企画委員会委員, 2017年9月 ～2021年 3月
・日本応用物理学会APEX-JJAP編集委員：2010年4月 ～ 2016年3月
・日本真空学会 SP部会（スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会）幹事 、2010年4月 ～ 2014年3月
・日本真空学会東海支部幹事、2013年2月 ～ 2014年1月
・国際学会SSDM論文委員（エリア8）2011-2013 , 2011年4月 ～ 2014年3月
非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
46,200円
（本体価格：42,000円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
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お一人様につき、追加料金11,000円（税込）にてお申込みいただけます。
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10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
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・ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者
・ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者
・ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発や研究の最前線について理解できる
ダイヤモンドは大きなバンドギャップ（5.45 eV）や、高い移動度（~2000 cm/V・s）、高絶縁破壊電圧（~6 MV/cm），高熱伝導度（~22 W/cm・K）等の優れた物理特性を有する事から，次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え，化学安定性にも優れている事から極限環境下（高温や放射線下等）で動作するパワーデバイスとしても期待されている。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。
1. はじめに
1-1 ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル
1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史
2. ダイヤモンド半導体結晶の作製技術
2-1 ダイヤモンド単結晶成長技術（高温高圧合成法等）
2-2 ダイヤモンド薄膜結晶成長（ホモエピ、ヘテロエピ成長）
2-3 ダイヤモンド半導体のドーピング技術（in-situドープ、イオン注入等）
2-4 ダイヤモンド終端面と伝導特性制御
3. ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術
3-1 ダイヤモンドショットキーダイオード
3-2 ダイヤモンドPNダイオード
3-3 ダイヤモンド電界効果トランジスタ（FET）
3-4 その他のダイヤモンドデバイス（バイポーラトランジスタ等）
4. まとめ
4-1 ダイヤモンドパワーデバイスの課題
4-2 今後の展望
ダイヤモンド半導体,パワーデバイス,結晶成長,パワーエレクトロニクス,講演,セミナー,研修
