☆過去20年間に渡る技術動向調査を基に、基礎的な素子動作原理から最先端技術、現在の諸課題について解説します。
こちらは5/27(水)実施WEBセミナーのアーカイブ(録画)配信です。期間中何度でも視聴できます
1.光導波構造の基礎と高集積光導波路材料
1-1 光導波構造の基礎と各種導波路材料比較
2.シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴およびポイント
2-1 パッシブ光デバイス
a.導波路
b.分岐/結合
c.光入出力結合
d.波長フィルタ
e.偏波操作
2-2 光変調器
a.Si変調器
b.III-V族変調器
c.LN変調器
d.EOポリマー変調器
2-3 受光器
a.Ge受光器
b.III-V受光器
2-4 レーザー光源
a.Ge光源
b.III-V光源
3.シリコンフォトニクス集積素子技術とハイブリッド集積技術の応用
3-1 ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
3-2 CMOS互換モノリシック集積技術
3-3 異種材料を活用したハイブリッド集積技術
a.Wafer-on-Wafer (WoW)接合
b.Chip-on-Wafer (CoW)接合
c.Micro-Transfer Printing (MTP)接合
3-4 光チップレット、2.5/3次元実装、Co-Packaged Optics技術
3-5 シリコンフォトニクスファウンドリーサービス