2026年05月27日（水）
13:00～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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国立研究開発法人 産業技術総合研究所
光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム
上級主任研究員 博士（工学）高 磊 氏
<ご専門>
光集積回路，シリコンフォトニクス・光電融合素子，機能性光材料
＜ご略歴＞
早稲田大学先進理工学研究科物理学及応用物理学専攻修了，博士（工学）
日本電信電話株式会社 研究員，カリフォルニア大学バークレー校 博士研究員（日本学術振興会 海外特別研究員）を経て，国立研究開発法人 産業技術総合研究所入所．
現在，同光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム所属，上級主任研究員．
専門はシリコンフォトニクス・光電融合素子，異種材料集積，非線形光学材料など．
非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
46,200円
（本体価格：42,000円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
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よくある質問
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無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
・半導体光素子の設計やプロセス加工業務に携わって数年程度の若手技術者や新人の方。または、新たに本分野の研究開発業務に携わる予定のある方。
・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
・光導波構造の基礎，各種材料を活用した場合の長所／短所の比較
・シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理，研究開発の現状
・モノリシック／ハイブリッドフォトニクス集積技術，ファブレス化の動向
シリコンフォトニクス技術と呼ばれる，シリコン系光導波路素子によるモノリシック／ハイブリッド集積や実装技術は，基礎的な研究フェーズから，産業展開へと続く実用化フェーズへ移行しており，市場規模は著しい成長を続けている．しかしながら，更に高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて，解決すべき技術課題は依然として多く存在するため，新たなブレークスルーが求められる．
本セミナーでは過去20年間に渡る技術動向調査を基にした，基礎的な素子動作原理から最先端技術について解説を行った上で，現在の諸課題について議論を行う．
１．光導波構造の基礎と高集積光導波路材料
1-1 光導波構造の基礎と各種導波路材料比較
２．シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴およびポイント
2-1 パッシブ光デバイス
ａ．導波路
ｂ．分岐／結合
ｃ．光入出力結合
ｄ．波長フィルタ
ｅ．偏波操作
2-2 光変調器
ａ．Si変調器
ｂ．III-V族変調器
ｃ．LN変調器
ｄ．EOポリマー変調器
2-3 受光器
ａ．Ge受光器
ｂ．III-V受光器
2-4 レーザー光源
ａ．Ge光源
ｂ．III-V光源
３．シリコンフォトニクス集積素子技術とハイブリッド集積技術の応用
3-1 ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
3-2 CMOS互換モノリシック集積技術
3-3 異種材料を活用したハイブリッド集積技術
ａ．Wafer-on-Wafer (WoW)接合
ｂ．Chip-on-Wafer (CoW)接合
ｃ．Micro-Transfer Printing (MTP)接合
3-4 光チップレット、２．５／３次元実装、Co-Packaged Optics技術
3-5 シリコンフォトニクスファウンドリーサービス
半導体光素子、光集積回路、光導波路、シリコンフォトニクス、集積技術、セミナー、講演、研修
